SNVS754I - 2000年1月 - 修订2013年4月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
描述（续）
该LM78LXX是在塑料的TO- 92 （LP）的封装，所述SOIC-8 （D）的包和一个芯片尺寸的封装
（ 8焊球DSBGA ）采用TI的DSBGA封装技术。有了足够的散热，该稳压器可提供
100mA输出电流。电流限制被包括来限制峰值输出电流到一个安全值。安全区
保护输出晶体管被提供来限制内部功耗。如果内部功耗
过高所提供的散热，热关断电路接管防止从IC
过热。
绝对最大额定值
(1) (2)
功耗
输入电压
储存温度
ESD敏感性
(4)
(3)
内部限制
35V
−65°C
至+ 150°C
1kV
0 ° C至125°C
0 ° C至125°C
-40°C至125°C
−40°C
至85℃
−40°C
至85℃
235°C
260˚C （交货期）
工作结温
LM78LxxACZ ，TO- 92
LM78LxxACM ， SOIC- 8
LM78LxxAIM ， SOIC- 8
LM78LxxIBPX ， DSBGA
LM78LxxITP ，薄DSBGA
焊接信息
红外线或对流（20秒）。
波峰焊（ 10秒）
(1)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。电气规格不适用时，
操作设备，其既定的工作条件外。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
典型的热电阻值的包：
LP
包装：
θ
JC
= 60℃ / W ， =
θ
JA
= 230℃ / W
D
包装：
θ
JA
= 180℃ / W
DSBGA
包装：
θ
JA
= 230.9˚C / W
人体模型， 1.5 kΩ的串联100pF的。
LM78LXX电气特性LM78L05AC / LM78L05I
在标准字体限为T
J
= 25°C,
粗体字适用在的整个工作温度范围内
指定的包。
保证是通过使用标准的统计质量的生产测试或相关技术的限制
控制（ SQC）方法。除另有规定外：我
O
= 40毫安，C
I
= 0.33μF ，C
O
= 0.1μF.
除非另有规定ED ，V
IN
= 10V
符号
V
O
输出电压
7V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
40mA
(1)
参数
条件
民
4.8
4.75
4.75
典型值
5
最大
5.2
5.25
5.25
单位
V
1mA
≤
I
O
≤
70mA
(1)
ΔV
O
ΔV
O
线路调整
负载调整率
7V
≤
V
IN
≤
20V
8V
≤
V
IN
≤
20V
1mA
≤
I
O
≤
100mA
1mA
≤
I
O
≤
40mA
18
10
20
5
75
54
60
30
mV
(1)
2
功耗
≤
0.75W.
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