SNAS548C - 2000年2月 - 修订2013年3月
接线图
顶视图
图1. PDIP ， SOIC ，
和VSSOP包
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
电源电压
功耗
LM555CMM
工作温度范围
LM555C
存储温度范围
焊接信息
PDIP封装
焊接（ 10秒）
小外形封装
（ SOIC和VSSOP ）
气相（60秒）
红外（15秒）
(1)
215°C
220°C
260°C
0 ° C至+ 70°C
−65°C
至+ 150°C
(3)
+18V
1180毫瓦
613毫瓦
LM555CM ， LM555CN
(4)
(2)
(3)
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。电气特性规定了直流和交流电气
特定的测试条件，保证特定的性能限制下的规格。这假定该设备是内
工作额定值。规格不保证针对未给定参数的限制，然而，典型值是一个很好的迹象
的器件的性能。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
对于在高温下工作的设备必须在25℃以上降额基础上+ 150 ° C的最高结温
为106 ℃/ W（ PDIP ），170 ℃/ W（ S0IC -8），和204 ℃/ W（ VSSOP ）结的到环境的热阻。
指的是军事LM555H和LM555J版本规格RETS555X图。
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