SNAS002F - 2000年2月 - 修订2013年5月
应用信息
裸露DAP封装PCB安装审议
的LM4871的外露DAP （管芯附着焊盘）封装（NGN）的提供之间的低热阻
模具和PCB到的部分被安装并焊接。这允许从模具的快速热传递
周围的PCB铜线，接地层，和周围的空气。结果是低电压音频功率
放大器产生在2W
≤
1 ％THD用4Ω负载。如此高的电源是通过仔细的实现
考虑必要的散热设计。如果不进行优化的散热设计可能会影响LM4871的
高功率性能并激活不必要的，虽然必要，热关断保护。
NGN的包装必须有它的DAP焊接到PCB上的铜垫。民主行动党的PCB铜垫
连接的连续不间断的铜大平面。这个平面形成一热质量，散热片，并
辐射区。将散热片面积上的任一外平面在双面印刷电路板的情况下，或在其内
一板的层有两个以上的层。磷酸二铵铜焊盘连接到内层或背面铜
与图4（ 2×2）的通孔散热区。该通孔直径应为0.012in ， 0.013in用1.27mm间距。确保高效
通过在通孔镀覆的导热性。
最佳的散热性能与最大的实际散热面积来实现。如果散热片和放大器共用
相同的PCB层，标称2.5英寸
2
面积是必要的一个4Ω负载5V操作。散热器方面不
放置在相同的印刷电路板层上的LM4871应5英寸
2
（分钟）为相同的电源电压和负载
性。最后两个方面的建议申请25 ° C的环境温度。增加的区域
补偿环境温度高于25 ℃。在该LM4871的功率降额曲线
示出了最大功率消耗与温度的关系。一个例子PCB布局
为NGN的包显示在
部分。更详细和具体的
可从TI的关于PCB布局，制造和安装的NGN （ WSON ）包信息
在应用笔记AN- 1187包装工程集团（文献编号
PCB布局和电源调节注意事项驱动3Ω和4Ω
负载
功率由负载消耗是负载两端的电压摆动和负载的阻抗的函数。当负载
阻抗减小，负载功耗变得越来越依赖于互联（ PCB走线和
线）之间的放大器的输出引脚与负载的连接电阻。残留的一丝抵抗的原因
上的电压降，如所希望的，导致在功率消耗在跟踪，而不是在载荷。例如， 0.1Ω
追溯性降低输出功率4Ω负载从2.0W至1.95W消散。这个问题
降低负载损耗加剧当负载阻抗减少。因此，为了保持最高的负载
功率和较宽的输出电压摆幅，连接，输出端与负载PCB走线必须尽可能宽
成为可能。
劣质电源调节产生不利影响的最大输出功率。一个差的稳压电源的输出
随着负载电流的电压降低。降低电源电压的原因净空减少，输出
信号削波，并降低输出功率。即使有严格的监管用品，走线电阻产生的
相同的效果，电源调节欠佳。因此，使得电源迹线尽可能宽，有助于
保证输出电压摆幅。
桥配置说明
如图
的LM4871具有两个运算放大器内部，允许几个不同的放大器
配置。第一个放大器的增益是外部配置;第二个放大器的内部固定在
单位增益，反相配置。所述第一放大器的闭环增益是通过选择R的比率设定
f
与R
i
而第二放大器的增益是固定的两个内部40kΩ的电阻器。
显示的输出
放大器1用作输入到放大器2 ，其导致两个放大器产生的信号在相同的
大小，但180 °的相位差。因此，差动增益为IC是
A
VD
= 2 *(R
f
/R
i
)
(1)
通过输出Vo1和Vo2的驱动负载的差异，一个放大器的配置通常被称为
“桥接模式”被建立。桥接模式操作是从经典的单端放大器不同
配置，其中它的负载的一侧连接到地。
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