SNIS159C - 1999年8月 - 修订2013年7月
绝对最大额定值
(1) (2)
民
电源电压
输出电压
输出电流
静电放电（ ESD ）敏感性
储存温度
(3)
最大
35
6
10
2500
单位
V
V
mA
V
–0.2
–1
打包
TO- 92封装
的TO-220封装
SOIC -8封装
–60
–60
–65
–65
180
150
150
150
300
260
220
215
°C
焊接温度
TO封装（焊接， 10秒）
TO-92和TO-220封装（焊接， 10秒）
SOIC封装
红外（15秒）
气相（60秒）
–55
–40
0
°C
规定的操作温度LM35 ， LM35A
范围：T已
民
给T
最大值（4）
LM35C ， LM35CA
LM35D
(1)
(2)
(3)
(4)
150
110
100
°C
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。直流和交流电气规格不
经营超过其额定工作条件下的设备时适用。看
人体模型， 100pF的放电通过一个1.5千瓦的电阻。
在TO- 46封装的热阻为400 ℃/ W，结到环境，以及24 ° C / W结到外壳。在TO-的热阻
92包为180 ° C / W结到环境。小外形模压封装的热阻为220℃ / W结到环境。
在TO- 220封装的热阻为90℃ / W结到环境。有关更多的热阻信息，请参阅下表
部分。
电气特性
(1) (2)
LM35A
参数
测试条件
T
A
= 25°C
准确性
(5)
T
A
= –10°C
T
A
= T
最大
T
A
= T
民
非线性
(6)
传感器增益
（平均坡度）
负载调整率
(7)
0
≤
I
L
≤
1毫安
线路调整
(7)
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
T
A
= 25°C
T
民
≤
T
A
≤
T
最大
T
A
= 25°C
4 V
≤
V
S
≤
30 V
典型值
±0.2
±0.3
±0.4
±0.4
±0.18
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.05
±0.1
+9.9,
+10.1
±1
±3
±1
±1
±0.35
经过测试
极限
(3)
±0.5
设计
极限
(4)
典型值
±0.2
±0.3
±0.4
±0.4
±0.15
+10
±0.4
±0.5
±0.01
±0.02
±0.05
±0.1
±1
±3
±1
±1.5
±0.3
+9.9,
+10.1
°C
毫伏/°C的
毫伏/毫安
mV / V的
LM35CA
经过测试
极限
(3)
±0.5
±1
°C
设计
极限
(4)
单位
（ MAX 。 ）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
除非另有说明，这些规范适用于：
−55°C ≤
T
J
≤
150℃下的LM35和LM35A ;
−40°C ≤
T
J
≤
110℃下的LM35C
和LM35CA ;和0℃下
≤
T
J
≤
100℃下的LM35D 。 V
S
= 5 VDC和我
负载
= 50
μA,
中的电路
这些规范还
从应用+ 2°C至T
最大
中的电路
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
规格粗体字适用于整个额定温度范围内。
测试的限制得到保障，100％生产测试。
是保证设计限制（但不是100 ％生产测试）在指定的温度和电源电压范围。这些限制是
不用于计算呼出的质量水平。
该装置的精度定义为输出电压和10毫伏之间的误差/℃的时间的情况下，在指定的
电压，电流和温度（单位： ℃）的条件。
非线性被定义为输出电压与温度曲线的最佳拟合直线的偏差，超过额定
温度范围内的装置。
规的测量是在结温恒定，使用脉冲试验在低占空比。由于加热而改变输出
效果可以通过将热电阻乘以内部耗散来计算。
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