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    ECH8659-TL-W

     双 N 沟道功率 MOSFET 30V，7A，24mΩ
    开关脉冲晶体管
    0 ONSEMI

    GJM0335C1E4R5BB01#

     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    XDPS2201

     XDP™ 数字电源 XDPS2201是一种多模式、数字可配置的混合反激控制器，它结合了传统简化的反激拓扑结构和谐振变换器的性能。通过使用两个高压MOSFET，例如CoolMOSTM，混合反激XDPS2201控制器能够在不对称半桥反激拓扑中驱动高压侧和低压侧MOSFET。通过调节正负磁化电流的方法，可以在初级实现零电压开关和次级实现零电流开关，提高了效率。此外，变压器漏感能量被回收，更进一步提高效率。
    变压器开关反激控制驱动控制器高压
    0 INFINEON

    FDD16AN08A0-F085

     N 沟道，UltraFET® Trench MOSFET，75V，50A，13mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    PBSS8110T

     100 V, 1 A NPN low VCEsat transistorProduction
    开关光电二极管晶体管
    0 NEXPERIA

    FDN352AP

     单 P 沟道，PowerTrench® MOSFET，-30V，-1.3A，180mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    BSZ120P03NS3 G

     英飞凌高度创新型 OptiMOS™ 系列包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电力系统设计关键规范中的至高质量和性能要求，例如导通电阻特性和品质因数特性。
    暂无信息
    0 INFINEON

    74LVT16543ADGG

     3.3 V 16-bit registered transceiver; 3-stateProduction
    信息通信管理光电二极管输出元件逻辑集成电路
    0 NEXPERIA

    10-FY123BA080SH03-LN28L47

     Easy paralleling;High speed switching;Low switching losses
    暂无信息
    2 VINCOTECH

    10-EZ126PA025SC-L858F48T

     Easy paralleling;Low turn-off losses;Low collector emitter saturation voltage;Positive temperature coefficient;Short tail current
    暂无信息
    1 VINCOTECH

    NVBLS1D7N10MCTXG

     N-Channel PowerTrench® MOSFET, 100V, 300A, 1.5mΩ
    暂无信息
    0 ONSEMI

    GCM2165C2A431GA16#

     汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
    医疗医疗器械
    0 MURATA

    MMBF4117

     N 沟道开关
    开关光电二极管晶体管
    0 ONSEMI

    MMBZ20VALYFH

     MMBZ20VALYFH是以高抗浪涌性为特点的瞬态抑制二极管，适合电子元器件的ESD保护。是符合AEC-Q101标准的高可靠性产品。
    电子瞬态抑制二极管
    0 ROHM

    MH2207WZ

     应用： 续流 关于裸芯片的规格和销售，请咨询ROHM销售部门。目前尚未开始网售。
    暂无信息
    1 ROHM

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