SNOSBT3H - 2000年1月 - 修订2013年3月
绝对最大额定值
(1) (2)
LM158/LM258/LM358
LM158A/LM258A/LM3
58A
电源电压，V
+
差分输入电压
输入电压
功耗
(3)
PDIP （ P）
的TO- 99 （LMC）
SOIC （ D）
DSBGA （ YPB ）
输出短路到GND
放大器）
(4)
输入电流（V
IN
＆ LT ;
−0.3V)
(5)
工作温度范围
LM358
LM258
LM158
存储温度范围
焊接温度， PDIP （ P）
（焊接， 10秒）
焊接温度， TO- 99 （ LMC ）
（焊接， 10秒）
焊接信息
PDIP封装（ P）
焊接（ 10秒）
SOIC封装（ D）
气相（60秒）
红外（15秒）
ESD容差
(6)
(1)
(2)
(3)
215°C
220°C
250V
215°C
220°C
250V
260°C
260°C
300°C
300°C
260°C
260°C
0 ° C至+ 70°C
−25°C
至+ 85°C
−55°C
至+ 125°C
−65°C
至+ 150°C
−65°C
至+ 150°C
−40°C
至+ 85°C
（ 1
V
+
≤
15V和T
A
= 25°C
830毫瓦
550毫瓦
530毫瓦
435mW
连续
50毫安
连续
50毫安
530毫瓦
830毫瓦
32V
32V
−0.3V
至+ 32V
26V
26V
−0.3V
至+ 26V
LM2904
(4)
(5)
(6)
请参阅RETS158AX为LM158A军事规格和RETS158X为LM158军用规格。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
对于在高温下工作时， LM358 / LM358A ， LM2904必须基于一个+ 125 ° C的最高结温降额
并为PDIP 120 ° C / W ， 182 ° C / W的TO- 99 ， 189 ° C /供SOIC封装瓦DSBGA ，热电阻和230 ° C / W其中
适用于该设备焊接在印刷电路板上，在静止空气环境操作。该LM258 / LM258A和LM158 / LM158A可
根据+ 150 ° C的最高结温降额。耗散是两者的总的放大器，使用外部电阻器，其中
可能的话，以使放大器饱和或减少其消耗在集成电路的电源。
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，
最大输出电流为V的量值的约40毫安独立
+
。在电源电压超过+ 15V值
连续短路可能超过功耗额定值，导致最终销毁。破坏性的功耗可能会导致
从所有放大器同时短裤。
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于集电极 - 基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置，从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作，有
在IC芯片上也侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压，以去
在V
+
电压电平（或对地大的过驱动），用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的，并
正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，再次返回到一个值大于
−0.3V
（在25℃ ） 。
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
版权所有© 2000至13年，德州仪器
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