SNOS935B - 2001年2月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
差分输入电压
输入电流（V
IN
＆ LT ;
−0.3V)
电源电压（V - V）
输入电压
输出短路到地，
V
+
≤
15V和T
A
= 25°C
(3)
存储温度范围
结温
(4)
+
−
(2)
(1)
●电源电压
50mA
32V
−0.3V
至+ 32V
连续
−65°C
至150℃
150°C
260°C
215°C
265°C/W
300V
安装温度
铅温度（焊接， 10秒）
红外（ 10秒）
到环境的热阻（ θ
JA
)
ESD容差
(1)
(2)
(5)
(3)
(4)
(5)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于集电极基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置，从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作，有
在IC芯片上也侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压，以去
在V
+
电压电平（或对地大的过驱动），用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的，并
正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，再次返回到一个值大于
−0.36V
（在
25°C).
从输出电压V的短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地
最大输出电流为近似V的量值40毫安独立
+
。在电源电压超过+ 15V值
连续的短路可能超过功耗评分，造成最终销毁，
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
- T
A
)/
θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的。
(1)
工作额定值
温度范围
电源电压
(1)
−40°C
至85℃
3V至30V
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
2
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