SNOSC16B - 2004年5月 - 修订2004年9月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
LM124-N/LM224-
N/LM324-N
LM124A/LM224A/LM324
A
电源电压，V
+
差分输入电压
输入电压
输入电流（V
IN
＆ LT ;
−0.3V)
(3)
功耗
(4)
LM2902-N
32V
32V
−0.3V
至+ 32V
50毫安
PDIP
CDIP
SOIC封装
1130毫瓦
1260毫瓦
800毫瓦
连续
0 ° C至+ 70°C
−25°C
至+ 85°C
−55°C
至+ 125°C
−65°C
至+ 150°C
260°C
焊接（ 10秒）
气相（60秒）
红外（15秒）
260°C
215°C
220°C
250V
(5)
26V
26V
−0.3V
至+ 26V
50毫安
1130毫瓦
1260毫瓦
800毫瓦
连续
−40°C
至+ 85°C
输出短路到地（一个放大器）
V
+
≤
15V和T
A
= 25°C
工作温度范围
LM324-N/LM324A
LM224-N/LM224A
LM124-N/LM124A
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
焊接信息
−65°C
to
+150°C
260°C
260°C
215°C
220°C
250V
双列直插式封装
小外形封装
ESD容差
(6)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
请参阅RETS124AX为LM124A军用规格和参考RETS124X为LM124 -N军用规格。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于集电极 - 基极结
输入PNP晶体管成为正向偏置，从而作为输入二极管钳位。除了这个二极管动作，有
在IC芯片上也侧的NPN寄生晶体管作用。这个晶体管的动作可能会导致运算放大器的输出电压，以去
在V
+
电压电平（或对地大的过驱动），用于为输入的驱动负的持续时间。这不是破坏性的，并
正常输出状态将重新建立时的输入电压，为负时，再次返回到一个值大于
−0.3V
（在25℃ ） 。
对于在高温下工作时， LM324 -N / LM324A / LM2902 -N必须基于一个+ 125 ° C的最高结降额
温度和88℃ / W的热阻适用于钎焊在印刷电路板的设备，在静止空气中操作
环境。该LM224 -N / LM224A和LM124 -N / LM124A可以基于+ 150 ° C的最高结温降额。该
耗散在所有四个总的放大器，使用外部电阻器，在可能的情况，以使放大器饱和的，以减少
功率被消耗在集成电路中。
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。当考虑短路到地，
最大输出电流为V的量值的约40毫安独立
+
。在电源电压超过+ 15V值
连续短路可能超过功耗额定值，导致最终销毁。破坏性的功耗可能会导致
从所有放大器同时短裤。
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
版权所有© 2004年，德州仪器
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