SNOS412M - 2000年2月 - 修订2013年3月
图6. DDPAK / TO- 263侧视图
ADJ / GND
1
8
没有连接
V
IN
V
IN
V
IN
2
V
OUT
3
7
V
OUT
V
OUT
V
OUT
6
4
5
当使用WSON包
引脚2,3 & 4必须被连接在一起，并
销5 ， 6 & 7必须被连接在一起
图7. WSON顶视图
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
最大输入电压（V
IN
到GND）
功耗
(3)
20V
内部限制
150°C
-65 ℃〜150 ℃的
TO- 220 （ T）包
SOT- 223 （ IMP）套餐
260˚C ，10秒
260℃ 4秒
2000V
结温（T
J
)
(3)
存储温度范围
焊接温度
ESD容差
(1)
(2)
(3)
(4)
(4)
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
出于测试目的，防静电用人体模型， 1.5kΩ的串联100pF的应用。
工作额定值
(1)
输入电压（V
IN
到GND）
结温范围（T
J
)
(2)
(1)
(2)
LM1117-N
LM1117I
15V
0 ° C至125°C
−40°C
至125℃
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该装置旨在是功能性的，但具体的性能无法确保。为确保的规格和试验
条件，请参阅电气特性。
最大功耗为T的函数
J（下最大）
,
θ
JA
和叔
A
。在任何环境中最大允许功耗
温度为P
D
= (T
J（下最大）
–T
A
)/θ
JA
。所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
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