SNOSBH1D - 1999年5月 - 修订2013年3月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与处理
适当的预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能会更
容易受到伤害，因为很小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
绝对最大额定值
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
功耗
T
j
最大
θ
jA
(3)
(4)
(1) (2)
LF147
±22V
±38V
±19V
连续
900毫瓦
150°C
CDIP （J ）套餐
PDIP （ NFF ）套餐
窄SOIC （D ）
SOIC宽（ D）
工作温度范围
存储温度范围
引线温度（焊接， 10秒）
焊接信息
PDIP / CDIP
SOIC封装
ESD容差
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(8)
LF347B/LF347
±18V
±30V
±15V
连续
1000毫瓦
150°C
70°C/W
75°C/W
100°C/W
85°C/W
输出短路持续时间
(5) (6)
SEE
(7)
SEE
(7)
−65°C≤T
A
≤150°C
260°C
焊接（ 10秒）
气相（60秒）
红外（15秒）
260°C
260°C
215°C
220°C
900V
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明条件
该设备是功能，但不保证特定的性能极限。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系TI销售办事处/经销商咨询具体可用性和规格。
除非另有说明，绝对最大负输入电压等于负电源电压。
任何放大器输出可短路到地下去，然而，多于一个不应同时短路的
最高结温会被超过。
对于在升高的温度下操作，这些设备必须基于一个热电阻降额
θ
jA
.
马克斯。功耗是由包的特征来定义。附近操作最大的部分。功耗可能会导致
部分之外运作，确保限制。
该LF147是在军用温度范围内使用
−55°C≤T
A
≤125°C,
而LF347B和LF347可在
商业级温度范围0° C≤T
A
≤70°C.
结温上升至T
j
MAX = 150℃。
人体模型， 1.5 kΩ的串联100 pF的。
(1) (2)
DC电气特性
符号
V
OS
ΔV
OS
/Δ
T
I
OS
I
B
R
IN
(1)
(2)
(3)
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25°C
过温
R
S
=10 kΩ
T
j
=25°C,
T
j
=25°C,
T
j
=25°C
(2) (3)
LF147
典型值
1
10
25
50
10
12
100
25
200
50
最大
5
8
民
LF347B
典型值
3
10
25
50
10
12
100
4
200
8
最大
5
7
民
LF347
典型值
5
10
25
50
10
12
100
4
200
8
最大
10
13
单位
mV
mV
μV/°C
pA
nA
pA
nA
Ω
过温
(2) (3)
过温
请参阅RETS147X的LF147D和LF147J军用规格。
除非另有规定，规范适用于在整个温度范围和V
S
= ± 20V的LF147和V
S
= ± 15V的
在LF347B / LF347 。 V
OS
, I
B
和我
OS
在V测量
CM
=0.
输入偏置电流是结的漏电流，从而大约增加一倍，每增加10℃的结温，
T
j
。由于产量有限的测试时间，测试其输入偏置电流相关的结温。在正常操作中
结温度上升到高于环境温度的内部功耗，磷的结果
D
. T
j
=T
A
+θ
jA
P
D
哪里
θ
jA
为
从结点到环境的热阻。使用的散热器的建议，如果输入偏置电流将被保持在最低限度。
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TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
