性能曲线显示了这种行为的图形;在输入
频率高于250kHz的装置产生一个输出
降低幅度的频率信号分量的
以下为250kHz 。这是取样的混叠效应
大于2倍的信号频率较少的频率（在
奈奎斯特频率）。注意，在载波频率和其
谐波，频率和混叠的振幅
去到零。
隔离模式电压引起的误差
IMV可以在输出端引起的误差由图所示
的IMV与频率。但是应当指出，如果IMV
频率超过250kHz的，则输出也将显示
杂散输出（混叠） ，其方式类似于用于
V
IN
>在250kHz和放大器的响应将是相同的
在信号响应的输入大于该示
250kHz的性能曲线。出现这种情况是因为IMV-
引起的误差表现得像折合到输入端的错误信号。对
预测总误差，通过划分隔离电压
显示在IMR IMR与频率关系曲线，并计算
放大器的响应，从这个输入端的误差信号
在信号响应中给出的数据，以输入大于
250kHz的性能曲线。例如，如果一个800kHz的
1000Vrms IMR存在，则总共[ （ -60dB ）的+
（ -30dB ） ]× （ 1000V ）在200kHz外加= 32mV误差信号
1V， 800kHz的误差信号将出现在输出端。
高IMV的dV / dt故障
作为IMV频率的增加和的dV / dt超过
1000V / μs的，读出放大器可能会开始误触发，而
输出会显示虚假错误。共模
当前正在发送跨越障碍的高转换率
读出放大器的错误触发的原因。
降低低于电源电压
±15V
五月
减少的dV / dt为500V / μs的典型表现。
隔离栅
高压测试
的Burr-Brown公司已采取了局部放电试验
标准符合德国VDE0884光耦
后将其标准。该方法需要测量
微小的电流脉冲（ <5pC ），而应用2400Vrms ，
在每一个ISO122隔离60Hz的高电压应力
屏障。无局部放电，可以启动通过这
测试。这个标准确认暂态过电压（ 1.6
x
1500VRMS ）的保护而不会损坏ISO122 。的LifeTest
结果验证下连续额定无故障
电压和最高温度。
这种新的测试方法代表了“最先进的”
非破坏性的高电压的可靠性测试。它是基于
的非均匀场中存在的异构作用
屏障的降解过程中的介电材料。如果是
空隙的非均匀性，电场应力开始电离
缩小整个高电压之前的空白区域
屏障。充电的过程中和之后的瞬态传导
电离可以在外部被检测为一个突发的0.01〜
为0.1μs电流脉冲的重复在每个AC电压的周期。
最小的交流障碍电压启动部分显示
电荷被定义为“启始电压。 ”减小
阻挡层电压到一个较低的电平之前的部分需要
放电停止，并且被定义为“熄灭电压”。
我们有特点和开发包绝缘
过程产生的初始电压超过2400Vrms的
所以低于这个水平的瞬态过电压不会
损坏ISO122 。消光电压高于
1500VRMS使得即使过电压诱发的局部的显示
充电将停止一次的阻挡层电压降低到
1500VRMS （额定）的水平。旧的高电压试验方法
依靠施加足够大的过电压（以上等级）
打破边缘部分，但不能高到损坏
好的。我们新的局部放电测试给了我们更多
信心屏障可靠性比击穿/无突破性
下来的标准。
A
0
ISO150
A
1
+15V –15V
V
IN
–V
S2
GND
GND
+V
S2
–
V
S1
±V
S1
1µF
1µF
1µF
±V
S2
1µF
V
IN
V
OUT
1
6
2
7
PGA
8
102
45
3
1
2
+15V –15V
9
15 15
10
8
7
V
OUT
ISO122P
16
+V
S1
图2.基本信号和电源连接。
图3.可编程增益隔离通道与
1 ，10，和100增益。
®
7
ISO122
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
