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SLUS606N - 2004年6月 - 修订2008年11月
电气特性（续）
T
J
= 0℃至125 ℃，推荐的电源电压范围（除非另有说明）
参数
睡眠状态比较
2.3 V
≤
V
我（OUT）
≤
V
OREG ，
为1或2的细胞
V
SLP -ENT
睡眠模式进入门槛
V
我（OUT）
= 12.6 V ，R
IN
= 1 kΩ
bq24105/15
(1)
2.3 V
≤
V
我（OUT）
≤
V
OREG
V
CC
降低阈值以下，
t
秋天
= 100纳秒， 10 mV过，
PMOS关闭
V
CC
降低阈值以下，
t
秋天
= 100纳秒， 10 mV过，
STATx引脚关闭
20
V
CC
≤
V
IBAT
5毫伏
V
CC
≤
V
IBAT
-4毫伏
40
5
V
CC
≤
V
IBAT
75毫伏
V
CC
≤
V
IBAT
73毫伏
160
测试条件
民
典型值
最大
单位
V
V
SLP- EXIT
睡眠模式退出滞后
mV
µs
t
DG -SLP
抗尖峰脉冲时间，睡眠模式
30
40
ms
UVLO
V
UVLO -ON
PWM
内部P沟道MOSFET的导通电阻
7 V
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
4.5 V
≤
V
CC
≤
7 V
7 V
≤
V
CC
≤
V
CC（ MAX）的
4.5 V
≤
V
CC
≤
7 V
1.1
–9%
9%
100%
0%
20
60
50
400
ns
ns
mA
400
500
130
150
兆赫
mΩ
IC活跃的阈值电压
IC有源滞后
V
CC
升起
V
CC
落下
3.15
120
3.30
150
3.50
V
mV
内置N沟道MOSFET的导通电阻
f
OSC
D
最大
D
民
t
TOD
t
SYNCMIN
振荡器频率
频率精度
最大占空比
最小占空比
切换延迟时间（打开）
最小的同步FET的时间
同步FET最小电流断
门槛
(2)
电池检测
I
检测
I
DISCHRG1
t
DISCHRG1
I
WAKE
t
WAKE
I
DISCHRG2
t
DISCHRG2
在超时的电池电流检测
故障
放电电流
放电时间
唤醒电流
唤醒时间
终止放电电流
终止时间
V
我（ BAT ）
＆ LT ; V
OREG
– V
RCH
V
短
＆ LT ; V
我（ BAT ）
＆ LT ; V
OREG
– V
RCH
V
短
＆ LT ; V
我（ BAT ）
＆ LT ; V
OREG
– V
RCH
V
短
＆ LT ; V
我（ BAT ）
＆ LT ; V
OREG
– V
RCH
V
短
＆ LT ; V
我（ BAT ）
＆ LT ; V
OREG
– V
RCH
开始检测结束后，
V
我（ BAT ）
≤
V
OREG
2
400
1
2
0.5
400
262
mA
µA
s
mA
s
µA
ms
输出电容
C
OUT
C
SNS
所需的输出陶瓷电容器系列
从SNS到PGND ，电感器之间
R
SNS
需要SNS电容（陶瓷）在SNS
针
4.7
10
47
µF
µF
0.1
保护
V
OVP
I
极限
V
短
I
短
T
SHTDWN
OVP阈值电压
逐周期电流限制
短路电压阈值时， BAT
短路电流
热脱扣
热滞
V
我（ BAT ）
落下
V
我（ BAT ）
≤
V
短
阈值超过V
OREG
关闭P沟道
MOSFET ， STAT1和STAT2充电时
或终止状态
110
2.6
1.95
35
165
10
117
3.6
2
121
4.5
2.05
65
%V
O（ REG）
A
V /电池
mA
°C
°C
(1)
(2)
对于BQ24105和bq24115只。 ř
IN
连接IN和GND引脚之间，需要保证睡眠条目。
N沟道总是打开的〜 60毫微秒，然后熄灭，如果电流过低。
5
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