bq2085-V1P3
SLUS598 - 2004年2月
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SMBUS时序规范
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C （除非另有说明）
参数
FSMB
FMAS
TBUF
THD： STA
TSU： STA
TSU： STO
THD： DAT
TSU： DAT
TTIMEOUT
为tLOW
大腿
TLOW ： SEXT
TLOW ： MEXT
SMBus的工作频率
SMBus的主时钟频率
开始和结束之间的总线空闲时间
后（重复）开始保持时间
重复启动建立时间
停止建立时间
接收模式
数据保持时间
数据建立时间
错误信号/检测
时钟低电平时间
时钟高电平时间
累计时钟低电平从延长时间
累计时钟低电平主时间延长
见（ 2 ）
见（ 3 ）
见（ 4 ）
见（ 1 ）
传输模式
测试条件
从模式， SMBC 50％占空比
主模式下，没有时钟从低延伸
4.7
4.0
4.7
4.0
0
300
250
25
4.7
4.0
50
25
10
35
ns
ns
ms
µs
µs
ms
ms
民
10
51.2
典型值
最大
100
单位
千赫
千赫
µs
µs
µs
µs
TF
时钟/数据下降时间
见（ 5 ）
300
ns
TR
时钟/数据上升时间
见（ 6 ）
1000
ns
（ 1） bq2085 - V1P3超时当任何时钟低电平超过TTIMEOUT
（ 2 ）大腿最大。最小总线空闲时间。 SMBC = 1吨> 50
µs
原因涉及bq2085 - V1P3正在进行中的交易的复位。
（ 3 ） TLOW ： SEXT是累计时间从器件被允许从最初开始扩展时钟周期的一个消息到停止。
（4） TLOW部科学省是累计时间的主设备，允许从初始开始扩展时钟周期一个消息发送到一站。
（5 ）上升时间tr = （ VILMAX - 0.15 V）至（ VIHMIN +0.15 Ⅴ） 。
（ 6 ）下降时间tf = 0.9至VDD （ VILMAX - 0.15 V） 。
DATA FLASH MEMORY开关特性
VDD = 3.0 V至3.6 V ， TA = -20 ° C至85°C （除非另有说明）
参数
T（卷紧）
数据保留
闪存编程写周期
T（ WORDPROG ）
字编程时间
测试条件
见（ 1 ）
见（ 1 ）
见（ 1 ）
见（ 1 ）
14
民
10
105
2
16
典型值
最大
单位
岁月
周期
ms
mA
我（ DDPROG ）
闪存的写入电流供应
（ 1 ）指定的设计。未经生产测试。
注册备份
参数
我（ RBI）
打点数据保留的输入电流（1）
测试条件
VRB > 3.0V， VDD < VIT
1.3
民
典型值
10
最大
100
单位
nA
V
V（ RBI）
印度储备银行的数据保持电压
（ 1 ）指定的设计。未经生产测试。
6
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
