4N35, 4N36, 4N37
光电耦合器
SOES021C - 1981年11月 - 修订1998年4月
在25℃下自由空气的温度的电特性（除非另有说明）
参数
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
IR
IIO
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
输入二极管静态反向电流
输入 - 输出电流
测试条件
IC = 100
µA,
IC = 10 mA时，
IE = 100
µA,
VR = 6 V
IE = 0 ，
IB = 0，
IC = 0 ，
IF = 0
IF = 0
IF = 0
T = 8毫秒
IB = 0
IB = 0，
IB = 0，
IB = 0
IB = 0，
IF = 0
0.8†
0.9†
0.7†
IB = 0 mA时
1011†
10†
4†
4†
1
50
500†
500
1.5†
1.7†
1.4†
0.3†
V
V
Ω
nA
µA
mA
民
70†
30†
7†
10†
100
典型值
最大
单位
V
V
V
µA
mA
VIO =额定峰值，
VCE = 10V ， IF = 10 mA时，
VCE = 10 V ，
TA = - 55°C
VCE = 10 V ，
TA = 100℃
如果= 10 mA时，
如果= 10 mA时，
IF = 0
IF = 0 ，
IC = 10 mA时，
TA = - 55°C
TA = 100℃
如果= 10 mA时，
见注6
集成电路（ON）的
( )
通态集电极电流
集成电路（关闭）
的hFE
VF
VCE （ SAT ）
RIO
关态集电极电流
晶体管的静态正向电流传输比
输入静态二极管正向电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入至输出内阻
VCE = 10 V ，
VCE = 30 V ，
TA = 100℃
VCE = 5 V ，
IF = 10毫安
如果= 10 mA时，
如果= 10 mA时，
IC = 0.5毫安，
VIO = 500 V ，
CIO
输入 - 输出电容
VIO = 0，
F = 1MHz时，
见注6
1
2.5†
pF
† JEDEC注册资料
注6 ：这些参数都输入二极管之间测量导线短接在一起，所有的光敏三极管引线短接在一起。
在25℃下自由空气的温度的开关特性
†
参数
吨
花花公子
时间，时间
打开-O FF时间
测试条件
VCC = 10 V ，
RL = 100
Ω,
集成电路（上）= 2毫安，
见图1
民
典型值
7
7
最大
10
10
单位
µs
† JEDEC注册资料
2
邮政信箱655303
•
达拉斯，德克萨斯州75265
TI [ TEXAS INSTRUMENTS ]
