TPS56C231
ZHCSNT8 –AUGUST 2022
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6.4 热性能信息
RNN (JEDEC)
RNN (TI EVM)
热指标(1)
单位
18 引脚
RθJA
RθJC(top)
RθJB
ψJT
49.9
24.9
11.3
0.5
27
不适用(2)
不适用(2)
0.4
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
结至环境热阻
结至外壳（顶部）热阻
结至电路板热阻
结至顶部特征参数
结至电路板特征参数
11
10
ψJB
(1) 有关传统和新热指标的更多信息，请参阅IC 封装热指标应用报告。
(2) 不适用于EVM 布局
6.5 电气特性
TJ = –40°C 至125°C，VIN = 12V（除非另有说明）
参数
条件
最小值
典型值
最大值 单位
电源电流
IIN
146
9.3
µA
µA
VIN 电源电流
VIN 关断电流
TJ = 25°C，VEN = 5V，非开关
IVINSDN
VEN = 0V
逻辑阈值
VENH
1.175
1.025
1.225
1.104
0.121
1.91
1.3
V
V
EN 高电平阈值电压
EN 低电平阈值电压
VENL
1.15
VENHYS
IENp1
V
VEN = 1.0 V
VEN = 1.3 V
0.35
3
2.95
5.5
µA
µA
EN 上拉电流
IENp2
4.197
反馈电压
TJ = 25°C
598
597.5
594
600
600
600
600
602
602.5
602.5
606
mV
mV
mV
mV
TJ = 0°C 至85°C
TJ = -40°C 至85°C
TJ = –40°C 至125°C
VFB
FB 电压
594
LDO 电压
VREG5
ILIM5
4.58
100
4.7
4.83
200
V
LDO 输出电压
TJ = –40°C 至125°C
TJ = –40°C 至125°C
150
mA
LDO 输出电流限制
UVLO
4.25
3.52
730
3.32
3.24
80
V
V
VREG5 上升电压
UVLO
UVLO 阈值
VREG5 下降电压
mV
V
VREG5 迟滞
VIN 上升电压，VREG5 = 4.7V
VIN 下降电压，VREG5 = 4.7V
VIN 迟滞，VREG5 = 4.7V
UVLO，
VREG5 =
4.7V
V
UVLO 阈值，VREG5 = 4.7V
mV
MOSFET
RDS(on)H
TJ = 25°C，VVREG5 = 4.7V
TJ = 25°C，VVREG5 = 4.7V
7.8
3.2
mΩ
mΩ
高侧开关电阻
低侧开关电阻
RDS(on)L
导通计时器控制
VIN = 17V，VOUT = 0.6V，fSW
=
SW 最短导通时间(1)
SW 最短关断时间
tON min
t 关闭
60
ns
ns
1200kHz
VFB = 0.5V
310
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