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      1. 安斯......
      2. 1206 47PF 1KV
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 60k
      7.  
      8. 昨天 20:56
      1. 安斯......
      2. 1206 10PF 1KV
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 60k
      7.  
      8. 昨天 20:56
      1. 深楠......
      2. MLF1608E100JT000
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 28k
      7.  
      8. 昨天 20:54
      1. 深圳......
      2. 1206-221K 100V
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 4K
      7.  
      8. 昨天 20:53
      1. 金华......
      2. 0402 200PF NPO
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 1盘
      7.  
      8. 昨天 20:52
      1. 静夜......
      2. SYM-001T-0.6
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 127.5k
      7.  
      8. 昨天 20:51
      1. 新麒......
      2. 0805 106K 25V
      3. 三星
      4.  
      5.  
      6. 360k
      7.  
      8. 昨天 20:51
      1. 新麒......
      2. 0603 475K 16V
      3. 三星
      4.  
      5.  
      6. 24k
      7.  
      8. 昨天 20:50
      1. 中山......
      2. SLPPB50BSO
      3.  
      4.  
      5.  
      6. 5000
      7.  
      8. 昨天 20:50
      1. 维利......
      2. 0201 271J NPO
      3. 日系
      4.  
      5.  
      6.  
      7.  
      8. 昨天 20:49

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      10-FY07HVA050RG-L984F88

      High efficiency in hard switching and resonant topologies;High speed switching;Low gate charge
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      GCJ219R72A471KA01#

      汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
      医疗医疗器械
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      GRM022R61A221MA01#

      民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
      医疗医疗器械
      0 MURATA

      IPB60R280P7

      600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
      栅极
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