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    BU508A 参数 Datasheet PDF下载

    BU508A图片预览
    型号： BU508A
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高压快速开关NPN硅功率晶体管 [HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING SILICON NPN POWER TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体开关晶体管高压局域网
    文件页数/大小： 2 页 / 194 K
    品牌： THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
     浏览型号BU508A的Datasheet PDF文件第1页  
    BU508A
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    V
    （ BR ） EBO
    V
    CEO （ SUS ）
    V
    CESAT
    V
    BESAT
    I
    CES
    I
    EBO
    h
    FE
    t
    s
    t
    f
    f
    T
    参数
    发射极 - 基极击穿电压
    集电极 - 发射极电压维持
    集电极 - 发射极饱和电压
    基射极饱和电压
    集电极截止电流
    发射极截止电流
    直流电流增益
    贮存时间
    下降时间
    跃迁频率
    条件
    I
    E
    = 10毫安;我
    C
    =0
    I
    C
    = 100毫安;我
    B
    =0
    I
    C
    = 4.5A ;我
    B
    =2A
    I
    C
    = 4.5A ;我
    B
    =2A
    V
    CE
    =1500V; V
    BE
    =0
    T
    C
    =125°C
    V
    EB
    = 5V ;我
    C
    =0
    I
    C
    = 1A ; V
    CE
    =5V
    8
    7
    0.55
    7
    μs
    μs
    民
    10
    700
    1.0
    1.3
    1.0
    2.0
    0.1
    典型值。
    最大
    单位
    V
    V
    V
    V
    mA
    mA
    ®
    I
    C
    = 4.5A ; V
    CC
    =140V
    I
    B
    = 1.8A ; L
    C
    =0.9mH
    L
    B
    =3μH
    I
    C
    = 0.1A ; V
    CE
    =5V
    兆赫
    机械尺寸
    TO-3PN
    单位：毫米
    第2/2页
    ©2006 Thinki半导体有限公司。
    http://www.thinkisemi.com/

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