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    BT139-500E 参数 Datasheet PDF下载

    BT139-500E图片预览
    型号： BT139-500E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 敏感及标准（ 16A可控硅） [SENSITIVE & STANDARD(16A SCRs)]
    分类和应用： 可控硅
    文件页数/大小： 2 页 / 417 K
    品牌： THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
     浏览型号BT139-500E的Datasheet PDF文件第1页  
    BT139-500E通BT139-800E
    ®
    电气特性
    TC = 25° C除非另有说明
    符号
    V
    DRM
    V
    RRM
    评级
    重复峰值断态
    电压
    反向重复峰值
    电压
    门极触发电流
    测试条件（S ）
    BT139-500E
    I
    D
    = 0.1毫安BT139-600E
    BT139-800E
    BT139-500E
    I
    D
    = 0.5毫安BT139-600E
    BT139-800E
    T2 + G +
    V
    D
    = 12 V
    T2 + G-
    R
    L
    = 100
    Ω
    T2- G-
    T2- G +
    T2 + G +
    V
    D
    = 12 V
    T2 + G-
    R
    L
    = 100
    Ω
    T2- G-
    T2- G +
    T2 + G +
    T2 + G-
    V
    D
    = 12 V
    I
    GT
    = 100毫安T2- G-
    T2- G +
    I
    T
    = 200毫安，我
    GT
    = 50毫安
    V
    D
    = V
    DRM最大
    T
    j
    = 125°C
    I
    T
    = 10 A
    V
    DM
    = 67% V
    DRMmax
    T
    j
    = 125°C
    指数波形;
    门开路
    V
    D
    = 400 V ;牛逼
    j
    = 95 °C
    dI
    COM
    / DT = 7.2 A / MS
    I
    T
    = 16 A
    门开路
    I
    TM
    = 20 A; V
    D
    = V
    DRMmax
    I
    G
    = 0.1 A;的dI
    G
    / DT = 5 A / μs的
    民
    500
    600
    800
    500
    600
    800
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    100
    典型值
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    250
    最大
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    30
    30
    30
    100
    1.5
    1.5
    1.5
    1.8
    60
    90
    60
    90
    50
    0.5
    1.65
    -
    单位
    V
    I
    GT
    mA
    V
    GT
    门极触发电压
    V
    I
    L
    I
    H
    I
    D
    V
    T
    dV
    D
    / DT
    闭锁电流
    保持电流
    断态泄漏电流
    通态电压
    的临界上升率
    断态电压
    变化的临界上升率
    commutatating电流
    门控开启时间
    mA
    mA
    mA
    V
    V / μs的
    dV
    COM
    / DT
    -
    20
    -
    V / μs的
    t
    gt
    -
    2
    -
    µs
    Rev.02
    ©2006 Thinki半导体有限公司。
    第2/2页
    http://www.thinkisemi.com/

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