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    2SD1163 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1163图片预览
    型号： 2SD1163
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延功率晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 399 K
    品牌： THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
     浏览型号2SD1163的Datasheet PDF文件第1页  
    2SD1163/2SD1163A
    ®
    特征
    除非另有说明， TJ = 25 ℃
    符号
    参数
    2SD1163
    V
    （ BR ） CEO
    集电极 - 发射极
    击穿电压
    2SD1163A
    V
    （ BR ） EBO
    发射极 - 基极击穿电压
    2SD1163
    V
    CESAT
    集电极 - 发射极
    饱和电压
    2SD1163A
    V
    BESAT
    基射极饱和电压
    2SD1163
    I
    CBO
    集热器
    截止offcurrent
    2SD1163A
    h
    FE
    直流电流增益
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    =0.5A
    V
    CB
    =300V;I
    E
    =0
    V
    CB
    =350V;I
    E
    =0
    I
    C
    = 5A ; V
    CE
    =5V
    25
    I
    C
    = 5A ，我
    B
    =0.5A
    1.0
    1.2
    5
    5
    V
    mA
    mA
    I
    E
    = 10毫安，我
    C
    =0
    I
    C
    = 10毫安; R
    BE
    =∞
    150
    6
    2.0
    V
    V
    条件
    民
    120
    V
    典型值
    最大
    单位
    开关时间
    t
    f
    下降时间
    I
    CM
    =3.5A;I
    B1
    =0.45A
    0.5
    μs
    第2/2页
    ©2006 Thinki半导体有限公司。
    http://www.thinkisemi.com/

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