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2SC4467 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4467
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内容描述: 硅NPN三重扩散平面晶体管 [Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管放大器局域网
文件页数/大小: 2 页 / 742 K
品牌: THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
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2SC4467
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
( BR ) CEO
V
CESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
条件
I
C
= 50毫安,我
B
=0
I
C
= 3A ,我
B
=0.3A
V
CB
= 160V ;我
E
=0
V
EB
= 6V ;我
C
=0
I
C
= 3A ; V
CE
=4V
I
E
=0 ; V
CB
=10V,f=1MHz
I
C
= 0.5A ; V
CE
=12V
50
200
20
120
1.5
10
10
180
pF
兆赫
典型值。
最大
单位
V
V
µA
µA
®
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
=4A;R
L
=10C
I
B1
=- I
B2
=0.4A
V
CC
=40V
0.13
3.50
0.32
As
As
As
h
FE
分类
O
50-100
P
70-140
Y
90-180
机械尺寸
TO-3PN
单位:毫米
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©2006 Thinki半导体有限公司。
http://www.thinkisemi.com/