DK48N18 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DK48N18
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内容描述：	[70V,158A N-Channel Trench Process Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	5 页 / 1107 K
品牌：	THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]

DK48N18

Figure7. BV

DSS

vs Junction Temperature

Figure8. V

GS(th)

vs Junction Temperature

Temperature（℃）

Figure9. Gate Charge Waveforms

8000

7000

Temperature（℃）

Figure10. Capacitance

C Capacitance (pF)

6000

5000

4000

3000

2000

1000

(Volts)

160

Drain-Source Voltage (V)

Figure11. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance

Transient Thermal Impedance

R(t), Normalized Effective

Square Wave Pluse Duration(sec)

Rev.05

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http://www.thinkisemi.com/

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