30APU06 参数 Datasheet PDF下载

型号：	30APU06
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内容描述：	[30.0 Amperes,600Volts SwitchMode Single Fast Recovery Epitaxial Diode]
分类和应用：
文件页数/大小：	3 页 / 2178 K
品牌：	THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]

30APU06

Electrical characteristics (Ta=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

VBR,

Test Conditions

Min

Typ.

Max.

Units

Breakdown voltage

Blocking voltage

IR=100µA

600

V_R

IF=30A

1.30

1.05

1.60

1.40

Forward voltage

(Per Diode)

IF=30A, Tj =125°C

VR= VRRM

Reverse leakage

µA

current(Per Diode)

200

Tj=150°C, VR=600V

I_F=0.5A, I_R=1A, I_RR=0.25A

Reverse recovery

time(Per Diode)

trr

I_F=1A,V_R=30V, di/dt =200A/us

Thermal characteristics

Paramter

Symbol

Typ

0.8

Units

℃/W

Junction-to-Case

R_θJC

Electrical performance (typic)

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http://www.thinkisemi.com.tw/

Rev.08T

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