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    2SD1163 参数 Datasheet PDF下载

    2SD1163图片预览
    型号： 2SD1163
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN硅外延功率晶体管 [NPN Silicon Epitaxial Power Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 2 页 / 399 K
    品牌： THINKISEMI [ Thinki Semiconductor Co., Ltd. ]
     浏览型号2SD1163的Datasheet PDF文件第1页  
    2SD1163/2SD1163A
    ®
    CHARACTERISTICS
    Tj=25℃ unless otherwise specified
    SYMBOL
    PARAMETER
    2SD1163
    V
    (BR)CEO
    Collector-emitter
    breakdown voltage
    2SD1163A
    V
    (BR)EBO
    Emitter-base breakdown voltage
    2SD1163
    V
    CEsat
    Collector-emitter
    saturation voltage
    2SD1163A
    V
    BEsat
    Base-emitter saturation voltage
    2SD1163
    I
    CBO
    Collector
    cut-offcurrent
    2SD1163A
    h
    FE
    DC current gain
    I
    C
    =5A, I
    B
    =0.5A
    V
    CB
    =300V;I
    E
    =0
    V
    CB
    =350V;I
    E
    =0
    I
    C
    =5A ; V
    CE
    =5V
    25
    I
    C
    =5A, I
    B
    =0.5A
    1.0
    1.2
    5
    5
    V
    mA
    mA
    I
    E
    =10mA ;I
    C
    =0
    I
    C
    =10mA ;R
    BE
    =∞
    150
    6
    2.0
    V
    V
    CONDITIONS
    MIN
    120
    V
    TYP
    MAX
    UNIT
    Switching times
    t
    f
    Fall time
    I
    CM
    =3.5A;I
    B1
    =0.45A
    0.5
    μs
    Page 2/2
    © 2006 Thinki Semiconductor Co.,Ltd.
    http://www.thinkisemi.com/

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