TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
MMBT4403LT1
PNP外延平面晶体管
描述
该
MMBT4403LT1
是专为一般用途的应用
要求较高的击穿电压。
绝对最大额定值
•
最高温度
存储Temperature............................................................................................... -55〜 + 150°C
连接点Temperature......................................................................................................+150°C
•
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 250毫瓦
•
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 40 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5.0 V
IC集电极电流....................................................................................................... 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEX
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
分钟。
40
40
5.0
-
-
-
-
-
30
60
100
100
20
200
-
典型值。
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马克斯。
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100
400
750
950
1.3
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-
-
300
-
-
8.5
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
V
测试条件
IC=100uA
IC=1mA
IE=100uA
VCE = 35V , VBE = 0.4V
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 0.1毫安
VCE = 1V , IC = 1毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 2V , IC = 150毫安
VCE = 2V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA时, F = 100MHz的
VCB = 10V , F = 1MHz的
兆赫
pF
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