TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
60V N沟道MOSFET
描述
FQPF50N06
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体生产
’
s
专有的，平面条形， DMOS技术。这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关性能，并能承受高能量脉冲
雪崩和减刑模式。这些装置非常适用于低电压的应用，如
汽车，直流/直流转换器，和高效率的电源开关
管理在便携式和电池供电产品。
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
O
参数
漏源电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅源电压
功耗
马克斯。工作结温
l
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
P
D
T
j
T
英镑
价值
60
50
200
±
25
120
150
-55~150
单位
V
A
A
V
W
o
o
C
储存温度
C
TO-220F
电气特性（ TA = 25
O
C)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
漏源二极管的正向电压
符号
测试条件
分钟。
60
—
—
—
2.0
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
18
22
—
马克斯。
—
1.0
100
-100
4.0
22
—
1.5
单位
V
uA
nA
nA
V
m
Ω
S
V
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250
μ
A
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
g
FS
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
GS
=25V, V
DS
=0V
V
GS
= -25V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 25 A
V
DS
= 25 V，I
D
= 25 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 50 A
V
SD
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
