TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
产品speci fi cation
600V N沟道MOSFET
描述
FQPF4N60
这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用专有的，平面制作，
DMOS技术。
这种先进的技术已特别针对减少通态电阻，提供出色的
开关性能，并能承受高能量脉冲雪崩和减刑模式。这些
器件非常适用于高效率开关模式电源。
绝对最大额定值（ TA = 25℃ ）
参数
漏源电压
漏电流 - 连续
漏电流 - 脉冲
栅源电压
功耗
马克斯。工作结温
O
l
V
DSS
I
D
I
DM
V
GSS
P
D
T
j
T
英镑
价值
600
4.4
17.6
±
30
106
150
-55~150
单位
V
A
A
V
W
o
o
C
C
储存温度
TO-220F
电气特性（ TA = 25
O
C)
参数
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流，正向
门体漏电流，反向
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
漏源二极管的正向电压
符号
测试条件
分钟。
600
—
—
—
3.0
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
1.77
—
马克斯。
—
10
100
-100
5.0
2.2
1.4
单位
V
uA
nA
nA
V
W
V
BV
DSS
V
GS
= 0V时，我
D
=250
μ
A
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS （ TH）
V
SD
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
GS
=30V, V
DS
=0V
V
GS
= -30V, V
DS
=0V
V
DS
= V
GS
, I
D
=250
μ
A
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V，I
D
= 2.2 A
V
GS
= 0 V，I
S
= 4.4 A
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
