TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
2N5401
PNP外延平面晶体管
描述
该2N5401是专为一般用途的应用要求
高击穿电压。
特点
•
补充到NPN型2N5551 。
•
高集电极发射极击穿电压。 VCEO = 150V （ @ IC = 1毫安）
绝对最大额定值
•
最高温度
存储温度................................................ .............................................. 。 - 55 〜 + 150°C
结温................................................ ..................................... + 150 ° C最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（ TA = 25 ℃） ........................................ ........................................ 625毫瓦
•
最大电压和电流（ TA = 25 ° C）
VCBO集电极 - 基极电压............................................. .......................................... 160 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ...................................... 0.150 V
VEBO发射器基极电压............................................. ................................................. 5 V
IC集电极电流........................................................................................................ 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
fT
COB
分钟。
160
150
5
-
-
-
-
-
-
>50
80
50
100
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
160
-
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
0.2
0.5
1
1
-
400
-
300
6
单位
V
V
V
nA
nA
V
V
V
V
测试条件
IC = 100uA的， IE = 0
IC =为1.0mA ， IB = 0
IE =为10uA ， IC = 0
VCB = 120V ， IE = 0
VEB = 3V 。 IC = 0
IC = 10毫安， IB = 1.0毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
IC = 10毫安， IB = 1毫安
IC = 50mA时IB = 5毫安
VCE = 5V ， IC = 1毫安
VCE = 5V ， IC = 10毫安
VCE = 5V ， IC = 50毫安
VCE = 10V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
VCB = 10V ， F = 1MHz时， IE = 0
兆赫
pF
中hFE2分类
秩
范围
A
80-200
N
100-240
C
160-400
TIGER ELECTRONIC CO 。 ， LTD。
TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
