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2N4401 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N4401
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内容描述: NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管局域网
文件页数/大小: 3 页 / 48 K
品牌: TGS [ Tiger Electronic Co.,Ltd ]
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TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。
2N4401
NPN外延平面晶体管
描述
该2N4401是专为通用开关和
放大器应用。
特点
补充2N4403 。
高功率耗散625 mW的25℃
高直流电流增益: 100-300 150mA时
高击穿电压: 40 V最小。
绝对最大额定值
最高温度
存储Temperature............................................................................................... -55〜 + 150°C
结温................................................ ..................................... + 150 ° C最大
最大功率耗散
总功率耗散( TA = 25 ℃) ........................................ ....................................... 625毫瓦
最大电压和电流( TA = 25 ° C)
VCBO集电极 - 基极电压............................................. ............................................ 60 V
VCEO集电极到发射极电压............................................. ......................................... 40 V
VEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5.0 V
IC集电极电流........................................................................................................ 600毫安
特征
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICEX
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE(sat)1
VBE(sat)2
hFE1
hFE2
hFE3
hFE4
hFE5
fT
COB
分钟。
60
40
5.0
-
-
-
750
-
20
40
80
100
40
250
-
典型值。
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马克斯。
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100
400
750
950
1.2
-
-
-
300
-
-
6.5
单位
V
V
V
nA
mV
mV
mV
V
测试条件
IC = 100uA的, IE = 0
IC = 1mA时, IB = 0
IE =为10uA , IC = 0
VCE = 35V , VBE = 0.4V
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
IC = 150毫安, IB = 15毫安
IC = 500毫安, IB = 50毫安
VCE = 1V , IC = 0.1毫安
VCE = 1V , IC = 1毫安
VCE = 1V , IC = 10毫安
VCE = 1V , IC = 150毫安
VCE = 2V , IC = 500毫安
VCE = 10V , IC = 20mA下,, F = 100MHz的
VCB = 5V , IE = 0 , F = 1MHz的
兆赫
pF
TIGER ELECTRONIC CO 。 , LTD。