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     英飞凌 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D2PAK 封装，尤为适用于诸如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。作为 CFD2 超结 MOSFET 系列的后续产品，IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
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     R6524KNJ是具有低导通电阻和高开关速度的功率MOSFET。适合开关应用。
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    FCD260N65S3

     功率 MOSFET，N 沟道，SUPERFET® III，Easy Drive，650 V，12 A，260 mΩ，DPAK
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