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    TDA21490

     TDA21490 专为服务器、存储、人工智能(AI) 和网络应用中使用的高性能 xPU、ASIC和SOC提供强健可靠的电压调节器(VR) 而设计。TDA21490 采用高热效封装的 OptiMOSTM 功率 MOSFETs，具有同类产品中最佳的效率。低静态电流驱动器可以启用深度睡眠模式，进一步提高轻载效率，还可以提供精准的电流感测，有助于大幅提升系统性能。
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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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    IMZA120R020M1H

     采用TO247-4封装的1200V 20mΩ  CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺，该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅（Si）基器件相比，SiC MOSFET具有诸多优势，例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此，CoolSiC™碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。
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    BAT42LS

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     民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
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