与电压三倍功率CMOS驱动器
TC4626
TC4627
绝对最大额定值
封装功耗（T
A
≤
70°C)
PDIP ................................................. ................ 730mW
CERDIP ................................................. ............. 800mW的
SOIC ................................................. ................ 760mW的功耗
降额因子
PDIP ....................................... 5.6毫瓦/ ℃，高于36 ℃，
CERDIP ................................................. ....... 6.0毫瓦/°C的
电源电压................................................ 6.2V ...........
输入电压，任何终端...... V
S
+ 0.3V至GND - 0.3V
工作温度：M版本... - 55 ° C至+ 125°C
Ë版......... - 40 ° C至+ 85°C
C版.............. 0 ° C至+ 70°C
最大片上温度................................. + 150°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
焊接温度（ 10秒） ................................... + 300℃
电气特性：
T
A
= 25 ℃， VDD = 5V， C1 = C2 = C3 10μF ，除非另有规定。
符号
驱动器输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
最大开关频率
2.4
—
–1
V
BOOST
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
—
1.0
—
—
—
—
—
10
8
1.5
33
27
35
45
—
—
0.8
1
—
0.025
15
10
—
40
35
45
55
—
V
V
µA
V
V
Ω
Ω
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
兆赫
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DRIVE
驱动器输出
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
F
最大
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 5V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 5V
开关时间
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1
V
DD
= 5V, V
BOOST
> 8.5V
I
L
= 10 mA时， V
DD
= 5V
升压
R
3
R
2
F
OSC
V
OSC
UV
@ V
BOOST
V
开始
@ V
BOOST
V
BOOST
电压三倍输出
源电阻
倍压输出
源电阻
振荡器频率
振荡幅度
测量C1-
欠压阈值
启动电压
@V
DD
= 5V
电源电流
电源电压
空载
V
IN
=低或高
—
—
12
4.5
7.0
10.5
14.6
—
4.0
300
120
—
—
7.8
11.3
—
—
—
400
200
28
10
8.5
12
—
2.5
6.0
Ω
Ω
千赫
V
V
V
V
mA
V
R
负载
= 10kΩ
电源
I
DD
V
DD
4-272
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
