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TC4626EOE 参数 Datasheet PDF下载

TC4626EOE图片预览
型号: TC4626EOE
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内容描述: 与电压三倍功率CMOS驱动器 [POWER CMOS DRIVERS WITH VOLTAGE TRIPLER]
分类和应用: 驱动器接口集成电路光电二极管
文件页数/大小: 7 页 / 78 K
品牌: TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
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与电压三倍功率CMOS驱动器
TC4626
TC4627
电气特性:
T
A
=在工作温度范围V
DD
= 5V C1 = C2 = C3 10μF
除非另有规定ED 。
符号
驱动器输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1 ,输入电压
逻辑0 ,输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
2.4
– 10
V
DRIVE
– 0.025
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 5V
Ç & E型配置(T
A
= 70 ℃或85 ℃)下
M版(T
A
= 125°C)
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 5V
Ç & E型配置(T
A
= 70 ℃或85 ℃)下
M版(T
A
= 125°C)
750
15
15
10
10
1.5
0.8
10
0.025
20
25
13
15
55
50
60
70
V
V
µA
V
V
1
参数
测试条件
典型值
最大
单位
2
3
4
5
6
7
0V
V
IN
V
BOOST
驱动器输出
V
OH
V
OL
R
O
R
O
输出电阻,低
A
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
千赫
I
PK
t
R
t
F
t
D1
t
D2
F
最大
峰值输出电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
最大开关频率
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1,2
测试图1
V
DD
= 5V, V
BOOST
> 8.5V
I
L
= 10 mA时, V
DD
= 5V
开关时间
升压
R
3
R
2
F
OSC
V
OSC
UV
@ V
BOOST
V
开始
@ V
BOOST
V
BOOST
升压输出
源电阻
倍压输出
源电阻
振荡器频率
振荡幅度
测量C1-
欠压阈值
启动电压
@V
DD
= 5V
电源电流
电源电压
空载
V
IN
=低或高
5
4.5
7.0
10.5
14.6
4.0
400
170
7.8
11.3
500
300
50
10
8.5
12
4
6.0
千赫
V
V
V
V
mA
V
R
负载
= 10kΩ
电源
I
DD
V
DD
8
TELCOM半导体,INC。的
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