逻辑输入CMOS
Quad驱动程序
TC4467
TC4468
TC4469
过渡功耗产生的
互补结构( TC446X ),因为
输出级N沟道和P沟道MOS晶体管
同时打开了很短的时间内,当
输出的变化。过渡功耗
大致如下:
P
T
= F V
S
(10
10
–9
).
最大工作温度:
T
J
–
θ
JA
(P
D
) = 141°C,
其中:T
J
=最大允许结温
(+150°C)
θ
JA
=结点至环境热阻
( 83.3 ° C / W ) 14引脚塑料封装。
注意:
环境工作温度应不超过+ 85 ℃下进行
"EJD"设备或+ 125 ℃下进行"MJD"设备。
1
2
3
4
的功率为负载的总和, quies-
分和过渡的功耗。一个例子显示
每个学期的相对大小:
C = 1000pF的容性负载
V
S
= 15V
D = 50%
F = 200千赫
P
D
=封装功耗= P
L
+ P
Q
+ P
T
= 45毫瓦+ 35毫瓦+ 30 MW = 110毫瓦。
VDD
1 μF电影
14
1
2
3
4
5
6
8
9
7
0.1 μF陶瓷
+5V
13
90%
1A
1B
2A
2B
3A
3B
4A
4B
VOUT
470 pF的
输入
(A , B)
0V
VDD
5
90%
tF
12
10%
90%
t
R
10%
tD2
11
产量
10
0V
tD1
10%
输入: 100 kHz时,方波,
t
上升
= t
秋天
≤
10nsec
图1.开关时间测试电路
6
7
8
TELCOM半导体,INC。的
4-265