逻辑输入CMOS
Quad驱动程序
TC4467
TC4468
TC4469
电源旁路
大电流，需要进行充电和放电
大容性负载快速。例如，充电
1000 pF负载至18V的25nsec需要从0.72A
设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，1-
µF
薄膜电容器并联有一个或两个
低电感0.1
µF
短陶瓷圆盘电容器
引线长度（ <0.5英寸）通常提供足够的bypass-
ING 。
三个部分构成总包电源
功耗：
（1）负荷引起的耗散性（P
L
)
（ 2 ）静态功率（P
Q
)
（ 3 ）转换功率（P
T
).
电容性负载造成的功耗（驱动MOSFET
门） ，是频率，电容性负载的直接函数，并
电源电压。功耗为：
P
L
= F （C V）
S2
,
式中： f =开关频率
C =容性负载
V
S
=电源电压。
电阻性负载造成的功耗为地面为参考
转制载荷是占空比，负载电流的函数，并且
负载电压。功耗为：
P
L
= D （V
S
– V
L
) I
L
,
其中：D =占空比
V
S
•电源电压
V
L
=负载电压
I
L
=负载电流。
电阻性负载造成的功耗为供为参考
转制载荷是占空比，负载电流的函数，并且
输出电压。功耗为：
P
L
= D V
O
I
L
,
式中： f =开关频率
V
O
=设备的输出电压
I
L
=负载电流。
静态功耗取决于输入信号
占空比。逻辑高电平输出，导致较低的功率
散热模式，具有仅为0.6 mA的总电流消耗（所有
设备驱动） 。逻辑低输出提升为4 mA的电流
最大。静态功耗为：
P
Q
= V
S
（D （ 1H） +（1- D）的余
L
),
其中：I
H
=静态电流与所有输出低电平
（4 mA（最大值） ）
I
L
=静态电流与所有输出高电平
（0.6 mA以下）
D =占空比
V
S
=电源电压。
TELCOM半导体，INC。的
接地
该TC4467和TC4469包含反相驱动器。
在共同点的阻抗开发潜力下降
从输入到输出显示为负反馈和
降低开关速度快的特点。相反，个别
接地回路的输入和输出电路或接地
面，应使用。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动2.5 mA电流源负载。随着逻辑"0"
输出，最大静态电源电流为4mA 。逻辑
"1"输出电平信号，降低静态电流1.4毫安
最大。未使用的驱动器输入必须连接到V
DD
或V
SS
。最低功耗发生逻辑"1"
输出。
该驱动器的设计与50 mV的滞后。这
提供干净的过渡，最大限度地减少输出级电流
改变状态的时候租扣球。输入电压阈值
大约是1.5V ，因此比任何电压高
1.5V至V
DD
逻辑1输入。输入电流小于1
µA
超过这个范围。
功耗
电源电流与频率的关系和电源电流
对容性负载特性曲线将在阻止 - 帮助
采矿功耗计算。 Telcom公司Semicon-
导体的CMOS驱动器，大大降低了静态直流
功耗。
输入信号的占空比，电源电压和负载
式，影响封装功耗。鉴于电力
耗散和封装的热电阻，最大
环境温度是很容易计算的。在14-
引脚塑料封装结点至环境热阻
83.3 ° C / W 。在+ 70 ° C，封装的额定功率为800mW的
最大耗散。最大允许芯片温度
TURE为+ 150°C 。
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TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
