1.5A高速30V MOSFET驱动器
TC4431
TC4431
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ............ 36V
输入电压（注1 ） ........................ V
DD
+ 0.3V至GND
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP ř
θJ -C
.................................................. 50 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
PDIP ř
θJ -C
.................................................. ... 42 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 250 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本........................................... - 40 ° C至+ 85°C
封装功耗（T
A
≤
70°C )
塑料................................................. ............ 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= + 25°C 5.0
≤
V
DD
≤
30V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流（注1 ）
高输出电压
低输出电压
输出电阻（V
OL
)
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
起动阈值
辍学阈值
2.4
—
–1
V
DD
– 1.0
—
—
—
—
0.3
—
—
—
—
0.8
1
V
V
µA
V
V
Ω
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
（ 16V MAX）
I
OUT
= 100毫安
V
DD
= 30V ，我
O
= 10毫安
资料来源： V
DD
= 30V
水槽： V
DD
= 30V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1
图1
图1
图1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
（注3）
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
转
V
DD
– 0.8
—
—
0.025
7
10
3.0
—
1.5
—
—
—
开关时间
（注2 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
—
7
25
33
62
78
2.5
0.3
8.4
7.7
40
50
80
90
4
0.4
10
—
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
V
V
电源
I
S
V
S
V
DO
4-258
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
