3A双高速
功率MOSFET驱动器
TC4423
TC4424
TC4425
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 22V
输入电压，单位为A或B中...... V
DD
+ 0.3V至GND - 5.0V
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
................................................ 150 ° C / W
CERDIP ř
θJ -C
.................................................. 55 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125 ° C / W
销刀豆网络gurations
16引脚SO宽
NC
IN A
NC
GND
GND
NC
IN B
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
TC4423
TC4424
TC4425
16
15
14
13
12
11
10
9
4423
NC
4424
NC
PDIP ř
θJ -C
.................................................. ... 45 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. ... 75 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
我版本............................................ - 25℃至+ 85°C
Ë版本........................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版........................................ - 55 ° C至+ 125 ° ç
封装功耗（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ...... 730mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
4425
NC
8引脚DIP
NC 1
在一个2
GND 3
IN B 4
TC4423
TC4424
TC4425
4423
8 NC
4424
NC
4425
NC
OUT A OUT A OUT A
OUT A OUT A OUT A
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
VDD
7 OUT A OUT A OUT A
6 VDD
VDD
VDD
5 OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
OUT B OUT B OUT B
NC
NC
NC
NC =无连接
注意：
重复的引脚必须
两
连接才能正常运行。
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
OH
V
IL
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.5
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
—
—
0.8
1
—
0.025
5
5
—
—
V
V
µA
V
V
Ω
Ω
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
占空比
≤
2%
t
≤
300
微秒
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
图1 ，C
L
= 1800 pF的
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
23
25
33
38
1.5
0.15
35
35
75
75
2.5
0.25
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
mA
电源
I
S
4-238
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
