6A高速MOSFET驱动器
TC4420
TC4429
绝对最大额定值*
电源电压................................................ ......... + 20V
输入电压............................................... - 5V到> V
DD
输入电流（V
IN
＆ GT ; V
DD
） ......................................... 50毫安
功耗，T
A
≤
70°C
PDIP ................................................. .............. 730mW
SOIC ................................................. .............. 470mW
CERDIP ................................................. ........... 800mW的
5引脚TO- 220 ............................................ .......... 1.6W
封装功耗（T
A
≤
70°C)
5引脚TO- 220 （带散热片） ......................... 1.60W
降额因子（到环境）
PDIP ................................................. ............ 8MW /°C的
SOIC ................................................. ............ 4mW的/°C的
CERDIP ................................................. ...... 6.4MW /°C的
5引脚TO- 220 ............................................ .. 12MW /°C的
热阻抗（大小写）
5引脚TO- 220 ř
θJ -C
........................................ 10 ° C / W
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
工作温度（芯片） .............................. + 150°C
工作温度范围（环境）
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
我版本........................................... - 25 ° C至+ 85°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会对perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的操作部分表示是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
V
IN
（最大）
I
IN
逻辑1，高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电压范围
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
工作输入电压
2.4
—
–5
– 10
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
1.5
1.8
1.3
—
—
—
—
2.1
1.5
6
—
—
0.8
V
DD
+0.3
10
—
0.025
2.8
2.5
—
—
V
V
V
µA
V
V
Ω
Ω
A
A
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
见图1
见图1
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
DD
= 18V （参见图5）
占空比
≤
2%
t
≤
300
µs
图1 ，C
L
= 2500 pF的
图1 ，C
L
= 2500 pF的
图1
图1
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
产量
V
OH
V
OL
R
O
R
O
I
PK
I
转
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
—
—
4.5
25
25
55
55
0.45
55
—
35
35
75
75
1.5
150
18
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
µA
V
电源
I
S
V
DD
4-226
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
