1.5A双漏极开路
MOSFET驱动器
TC4404
TC4405
从而减少芯片数量。不用开排水沟应
返回到电源轨,他们设备的来源是
连接(拉落至地面,上拉至V
DD
) ,以
防止静电损坏。此外,在情况下
定时电阻或限制交叉电流等手段
使用时,就像水渠可以并联更大的电流
承载能力。
这些设备被内置在最DE-操作
朱古力的电气环境。他们不会闭锁
在其功率和电压额定任何条件下
英格斯;它们不受损坏时高达5V
任一极性的噪声尖峰发生的接地引脚上;
他们可以接受的,而不会损坏或逻辑混乱,达
1/2放大器的反向电流(无论极性)被强迫
返回到输出端。所有终端得到充分保护
对高达2 kV的静电放电。
封装热阻
CERDIP ř
θJ -A
............................................... 150℃ / W
CERDIP ř
θJ -C
................................................. 55 ° C / W
PDIP ř
θJ -A
.................................................. 125°C / W
PDIP ř
θJ -C
.................................................. .. 45 ° C / W
SOIC ř
θJ -A
.................................................. 155 ° C / W
SOIC ř
θJ -C
.................................................. .. 45 ° C / W
工作温度范围
C版............................................... 0 ° C至+ 70°C
Ë版本.......................................... - 40 ° C至+ 85°C
M版....................................... - 55 ° C至+ 125°C
封装功耗(T
A
≤
70°C)
塑料................................................. ............ 730mW
CerDP ................................................. ............ 800mW的
SOIC ................................................. .............. 470mW
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电
材料。防止静电放电和静电场的设备。讲
超出上述绝对最大额定值可能会导致perma-
新界东北损坏设备。这些压力额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其他条件的操作
在规范的业务部门所标明是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值
电源电压................................................ ......... + 22V
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度范围................ - 65 ° C至+ 150°C
引线温度(焊接, 10秒) ................. + 300℃
电气特性:
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
逻辑1,高输入电压
逻辑0低输入电压
输入电流
技术指标测量在T
A
= + 25 ℃, 4.5V
≤
V
DD
≤
18V,除非另有规定。
参数
测试条件
民
2.4
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
& GT ; 500
典型值
—
—
—
—
—
7
1.5
—
—
最大
—
0.8
1
—
0.025
10
—
100
—
单位
V
V
µA
V
V
Ω
A
mA
mA
– 0V
≤
V
IN
≤
V
DD
产量
V
OH
V
OL
R
O
I
PK
I
DC
I
R
高输出电压
低输出电压
输出电阻
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V ;任何排水
峰值输出电流(任何排水)占空比< 2 % ,T
≤
300µsec
连续输出电流(任何排水)
闭锁保护(排水渠)占空比< 2 % ,T
≤
300µsec
承受反向电流
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源电流
1.切换的时间保证了设计。
开关时间(注1 )
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
注意:
图1 ,C
L
= 1000 pF的
图1 ,C
L
= 1000 pF的
图1 ,C
L
= 1000 pF的
图1 ,C
L
= 1000 pF的
V
IN
= 3V (两个输入)
V
IN
= 0V (两个输入)
—
—
—
—
—
—
25
25
15
32
—
—
30
30
30
50
4.5
0.4
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
mA
电源
4-220
TELCOM半导体,INC。的