1.5A双漏极开路
MOSFET驱动器
TC4404
TC4405
典型特征
上升时间与电源电压
100
2200 pF的
80
TRISE （纳秒）
1
下降时间与电源电压
100
2200 pF的
100
TA = + 25°C
1500 pF的
TRISE （纳秒）
上升时间与容性负载
TA = + 25°C
80
VDD = 5V
2
3
TA = + 25°C
1500 pF的
TFALL （纳秒）
80
60
1000 pF的
40
470 pF的
20
100 pF的
0
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
60
1000 pF的
40
470 pF的
20
100 pF的
0
60
10V
15V
40
20
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
下降时间 - 容性负载
100
TA = + 25°C
80
TFALL （纳秒）
时间（纳秒）
上升和下降时间
与温度的关系
60
60
传播延迟
- 电源电压
CLOAD = 1000 pF的
50
4
5
VDD = 5V
50
CLOAD = 1000 pF的
VDD = 17.5V
延迟时间（纳秒）
TA = + 25°C
吨D2
60
10V
15V
40
40
40
30
吨下跌
20
T上升
30
20
20
吨D1
0
100
1000
CLOAD （PF ）
10,000
10
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
10
4
6
8
10
12
VDD
14
16
18
6
7
输入幅度的影响。
延迟时间
60
传播延迟时间
与温度的关系
60
10
VDD = 17.5V
VLOAD = 1000 pF的
50
延迟时间（纳秒）
静态电源电流
与电压
TA = + 25°C
CLOAD = 1000 pF的
50
延迟时间（纳秒）
IQUIESCENT （毫安）
VDD = 10V
TA = + 25°C
40
30
20
10
tD2
两个输入= 1
1
40
吨D2
30
20
吨D1
tD1
0.1
两个输入= 0
10
0
2
4
6
VDRIVE （ V）
8
10
–55 –35 –15 5 25 45 65 85 105 125
温度（℃）
4
6
8
10 12
VDD
14
16
18
8
TELCOM半导体，INC。的
4-223
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
