6A单一的高速，
CMOS功率MOSFET驱动器
TC429
电源旁路
充电和快速放电较大的容性负载
需要大电流。例如，充电一个2500 pF的
18V负载在25nsec需要从设备的一个1.8A电流
电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
短引线长度磁盘电容（ <0.5英寸）应
使用。 A 1
µF
薄膜电容器并联有一个或两个0.1
µF
陶瓷圆盘电容器通常提供足够的副产品
路过。
为确保最佳的设备性能，分离
应该提供用于逻辑和功率接地迹线
连接。直接连接逻辑地向TC429
GND引脚，确保充分的逻辑驱动器的输入和输出速度快
切换。这两个GND引脚应连接到电源
地面上。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动3 mA电流源负载。用逻辑"1"
输入，最大静态电源电流为5毫安。逻辑
"0"输入电平信号减少到500静态电流
µA
最大。
在TC429输入的目的是提供在300毫伏
迟滞，提供清洁的过渡和减少输出
把舞台尖峰电流改变状态时。输入电压
年龄水平是大约1.5V，从而使该器件的TTL
在7V兼容18V工作电源电压范围。输入
电流小于10μA ，超过这个范围。
该TC429可以通过TL494直接驱动， SG1526 /
1527 ， SG1524 ， SE5560或类似的开关模式电源支持
帘布层的集成电路。通过卸载电源驱动
职责的TC429中，电源控制器可以操作
在较低的功耗，从而提高性能和可靠性。
接地
的TC429要求高电流能力
仔细的PC板布局以获得最佳性能。自从
TC429是一个反相驱动器，所有地线阻抗
表现为负反馈可以降低开关
速度。反馈是缓慢的上升时间特别明显
时间的输入，例如由一个开路集电极产生
输出电阻上拉。该TC429输入结构
包括约300 mV的迟滞，以保证清洁的跃迁
tions和自振荡的自由，但注意布局
仍建议。
图2示出了详细的反馈效果。作为
TC429输入开始去肯定的，则输出端变为负
和几安培电流流过地线的。如
短短的PC走线电阻会产生数百0.05Ω
毫伏的TC429接地引脚。如果驱动逻辑是
参考电源地，有效逻辑输入电平是
减少和振荡可能会导致。
+18V
功耗
CMOS电路通常允许用户忽略功率
耗散。逻辑系列，如4000和74C都
输出端，可以仅提供电流的几毫安，
甚至输出短路到地不会强迫不够
电流以破坏设备。在TC429 ，但是，可以
源或汇几安培和驱动较大的容性
负载在高频率。封装功耗限制
可以很容易地超过。因此，一些应注意
驱动低阻抗时考虑到功耗
负载和/或在高频率下操作。
电源电流与频率的关系并供给电流
租与容性负载特性曲线将有助于
确定功耗计算。表1列出了
最高工作频率为几个电源
驱动2500pF的负载时电压。更精确的供电
散热科幻居雷什可以总结三个获得
动力源。
输入信号的占空比，电源电压，并
容性负载的影响封装功耗。一定
功耗和封装的热电阻，
最高环境工作温度很容易calcu-
迟来。 8引脚CERDIP结到环境的热电阻
距离受到150 ° C / W 。在+ 25 ° C，封装的额定功率为800毫瓦
最大耗散。最大允许芯片温度
TURE为+ 150°C 。
TELCOM半导体，INC。的
TC429
2.4V
0V
0.1 µF
2
4
1
8 6,7
5
1 µF
18V
TEK CURRENT
探头6302
0V
0.1 µF
2500 pF的
逻辑
地
300毫伏
动力
地
6A
PC走线电阻= 0.05Ω
图2.开关时间造成的影响负反馈
4-178
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
