BiCMOS电流模式
PWM控制器
TC18C43
TC28C43
TC38C43
1
电气特性
（续） ：
除非另有说明，这些规格适用于指定的
温度范围。 V
IN
= V
DD
= 15V ; ř
T
= 71 kΩ的; ç
T
= 150 pF的。
TC18C4X
TC28C4X
参数
输出部分
R
DS
2
TC38C4X
最大
15
20
60
60
—
18
8.8
7.9
100
0
300
2
测试条件
I
SINK
= 20mA下
I
来源
= 20mA下
C
L
= 1nF的（注1 ）
C
L
= 1nF的（注1 ）
库仑（注1 ）
注1
x8C43
x8C43
x8C43 （注1 ）
民
—
—
—
—
—
—
7.9
7.2
95
典型值
7
11
40
30
6.5
—
8.4
7.6
97
民
—
—
—
—
—
—
7.9
7.2
95
典型值
7
11
35
30
6.5
—
8.4
7.6
97
最大
15
15
60
40
—
18
8.8
7.9
100
0
300
1.5
单位
Ω
Ω
纳秒
纳秒
nC
V
V
V
%
%
µA
mA
（上）
R
DS （ ON）
上升时间
下降时间
交叉传导
V
DD
Ma
启动阈值
欠压阈值
3
4
5
6
7
欠压锁定部分
PWM节
最大占空比
最小占空比
电源电流
启动
操作
T
A
= 25 ° C，V
IN
＆ LT ; V
UV
;图1
V
FB
= V（I
SENSE
） = 0V ;图4
50
170
1
50
170
1
注意事项：
1.这些参数，虽然保证在
推荐的操作条件下，不会在测试
生产。
2.参数在锁存器的跳变点进行测量。
3.增益比被定义为：
∆V
COMP
ΔV （我
SENSE
)
其中0
≤
V（I
SENSE
)
≤
0.8V
4.输出频率等于振荡器频率为
x8C43.
5. PSRR的V
REF
，误差放大器和PWM比较器
组合。
Telcom公司半导体公司保留在任何时间详见本手册，恕不另行通知，在电路改变或规格的权利。最小值
和最大值的保证。所有其他规范的目的是作为唯一的指导方针。 Telcom公司半导体公司对使用不承担任何责任
本文所述的任何电路和不作任何陈述，他们是不受专利侵权。
*静电敏感器件。未使用的设备必须存储在导电材料。防止静电放电和静电场的设备。强调以上
绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这些仅仅是极限参数和功能操作
该设备在这些或以上的规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
引脚说明
PIN号
8-Pin
针无
14-Pin
2
4
1
3
5
7
针无
16-Pin
1
2
3
4
5
6
符号
NC
NC
CMPTR
V
FB
I
SENSE
R
T
/C
T
描述
无连接
无连接
补偿反馈环路响应。
电压反馈误差放大器来调节电压。
用于检测传输晶体管的电流，当电流终止驱动器
极限阈值，达到这个引脚。
电容和电阻输入来设置该PWM振荡器频率
控制器。将电阻从V连接
REF
输出至R
T
/C
T.
该电容器是由电路接入
T
/C
T
模拟GND 。
4-95
1
2
3
4
8
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
