1.2A双路高速MOSFET驱动器
TC1426
TC1427
TC1428
电气特性：
在工作温度范围内具有4.5V
≤
V
DD
+
≤
除非16V
另有规定ED 。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
高输出电压
低输出电压
输出电阻
测试图1和图2
测试图1和图2
V
IN
= 0.8V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
V
IN
= 3V,
I
OUT
= 10毫安，V
DD
= 16V
I
闩锁电流
承受反向电流
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
—
—
—
—
—
—
—
—
60
40
125
125
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
V
DD
– 0.025
—
—
—
＆ GT ; 500
—
—
15
10
—
—
0.025
23
18
—
mA
V
V
Ω
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
输入电流
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
3
—
– 10
—
—
—
—
0.8
10
V
V
µA
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
1
2
3
4
5
6
7
电源
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
注意：
1.切换的时间保证了设计。
—
—
—
—
13
0.7
mA
电源旁路
大电流，需要进行充电和放电
容性负载迅速。例如，充电为1000pF
负载16V的25nsec需要从一个0.8A电流
设备的电源。
为了保证低电源阻抗在很宽的频
昆西范围，并联电容的组合是中建议
谁料用于电源旁路。低电感陶瓷
MLC电容短引线长度（ < 0.5英寸）应
被使用。将1.0 μF的薄膜电容器并联有一个或两个
0.1 μF的陶瓷电容器MLC通常提供足够的
旁路。
输入级
输入电压电平改变空载或quies-
电源电流美分。所述N沟道MOSFET的输入级
晶体管驱动2.5 mA电流源负载。用逻辑
"1"输入，最大静态电源电流为9毫安。
逻辑"0"输入电平信号减少到500静态电流
µA
最大。
未使用的驱动器输入端必须接
到V
DD
或GND 。
最低功耗发生逻辑
"0"输入的TC1426 /二十八分之二十七。
该驱动器的设计与迟滞的100毫伏。
这提供了清洁的转变，最大限度地减少输出级
当前扣球改变状态时。输入电压阈值
孩子大约1.5V ，使得逻辑"1"输入任何
电压大于1.5V至V
DD
。输入电流小于
小于1μA超过这个范围。
的TC1426 / 28分之27可以直接由TL494驱动，
SG1526 / 27 ， TC38C42 ， TC170和类似的开关模式
电源集成电路。
4-209
接地
该TC1426和TC1428包含反相驱动器。
单独的接地回路的输入和输出电路或
接地平面应该被使用。这将减少负
反馈导致退化的开关速度煤焦
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8
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