1.2A双路高速MOSFET驱动器
TC1426
TC1427
TC1428
绝对最大额定值*
功率耗散（T
A
≤
70°C)
塑料DIP ................................................ ........... 730W
SOIC ................................................. ............... 470毫瓦
降额因子
塑料DIP ................................................ ..... 8毫瓦/°C的
SOIC ................................................. ............. 4毫瓦/°C的
电源电压................................................ ............ 18V
输入电压，在任何终端.. （Ⅴ
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 0.3V ）
工作温度：C版.............. 0 ° C至+ 70°C
Ë版......... - 40 ° C至+ 85°C
最大片上温度................................. + 150°C
存储温度............................. + 65 ° C至+ 150°C
引线温度（焊接， 10秒） ................. + 300℃
*超出上述"Absolute最大Ratings" ，可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作
在技术规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
T
A
= 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD+
≤
16V ，除非另有规定。
符号
输入
V
IH
V
IL
I
IN
产量
V
OH
V
OL
R
O
输入电流
高输出电压
低输出电压
输出电阻
逻辑1 ，输入电压
逻辑0 ，输入电压
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
测试图1和图2
测试图1和图2
V
IN
= 0.8V,
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
V
IN
= 3V,
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 16V
承受反向电流
3
—
–1
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
＆ GT ; 500
—
—
—
—
—
12
8
1.2
—
—
0.8
1
—
0.025
18
12
—
—
A
mA
V
V
µA
V
V
Ω
参数
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
PK
I
峰值输出电流
闩锁电流
开关时间
（注1 ）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
I
S
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
测试图1和图2
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
75
75
纳秒
纳秒
纳秒
纳秒
电源
电源电流
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
—
—
—
—
9
0.5
mA
注意：
1.切换的时间保证了设计。
4-208
TELCOM半导体，INC。的
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
