初步信息
百毫安CMOS LDO具有关断功能，
ERROR OUTPUT和V
REF
绕行
TC1073
绝对最大额定值*
输入电压................................................ ................. 7V
输出电压............................. （ - 0.3 ）至（v
IN
+ 0.3)
功耗....................内部限制（注7 ）
工作温度.................... - 40°C <牛逼
J
＆ LT ; 125°C
储存温度............................ - 65 ° C至+ 150°C
最大电压任意引脚上.......... V
IN
+ 0.3V至 - 0.3V
*超越那些在"Absolute最大Ratings"上市应力可能
对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该器件在这些或超越任何其它条件下操作
在技术规范的业务部门所标明不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
电气特性：
V
IN
= V
OUT
+ 1V ，我
L
= 0.1毫安，C
L
= 3.3μF ， SHDN > V
IH
, T
A
= 25
°
C，除非另有说明。
符号
V
IN
I
OUTMAX
V
OUT
TC V
OUT
∆V
OUT
/∆V
IN
∆V
OUT
/V
OUT
V
IN
– V
OUT
参数
输入工作电压
最大输出电流
输出电压
V
OUT
温度COEF网络cient
线路调整
负载调整率
输入输出电压差（注4 ）
测试条件
注9
注9
注意事项1， 9
注2,9
(V
R
+ 1V ） < V
IN
＆ LT ; 6V
I
L
= 0.1毫安到我
OUTMAX
（注3）
I
L
= 0.1毫安
I
L
= 20mA下
I
L
= 50毫安
I
L
=100mA
（注4 ）
I
L
= I
OUTMAX ，
（注5,9）
SHDN = V
IH
, I
L
= 0
SHDN = 0V
SHDN < V
IL
F
RE
≤
1kHz
V
OUT
= 0V
注6
民
—
100
V
R
– 2.5%
典型值
—
—
V
R
±0.5%
20
40
0.05
0.5
20
70
100
200
0
50
—
160× V
R
64
300
0.04
160
10
260
最大
6.5
—
V
R
+ 2.5%
—
—
—
—
单位
V
mA
V
PPM /°C的
%
%
mV
—
—
—
I
GND
I
IN
I
INSD
R
OUT
PSRR
I
OUTSC
∆V
OUT
/∆P
D
T
SD
∆T
SD
eN
接地引脚电流
电源电流
关断电源电流
关机时输出电阻
电源抑制比
输出短路电流
热调节
热关断管芯温度
热关断迟滞
输出噪声
I
L
= I
OUTMAX
从470pF的旁路至GND
V
IN
= 2.5V至6.5V
V
IN
= 2.5V至6.5V
—
—
—
100× V
R
—
—
—
—
—
—
—
80
0.05
—
—
500
—
—
—
—
µA
µA
µA
kΩ
dB
mA
%/W
°C
°C
纳伏/赫兹÷
SHDN输入
V
IH
V
IL
SHDN输入高门槛
SHDN输入低阈值
45
—
—
—
—
15
%V
IN
%V
IN
TC1073-01 97年6月5日
2
TELCOM [ TELCOM SEMICONDUCTOR, INC ]
