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TSL257-LF 参数 Datasheet PDF下载

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型号: TSL257-LF
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内容描述: 高灵敏度光到电压转换器 [HIGH-SENSITIVITY LIGHT-TO-VOLTAGE CONVERTER]
分类和应用: 转换器
文件页数/大小: 8 页 / 145 K
品牌: TAOS [ TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS ]
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TSL257
高灵敏度
光到电压转换器
TAOS023E
2007年9月
在工作​​自由空气的温度范围内绝对最大额定值(除非另有说明)
电源电压,V
DD
(见注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6 V
输出电流,I
O
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
±
10毫安
短路电流的(或低于)持续时间25 ℃。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5秒
工作的自由空气的温度范围内,T
A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−25°C
至85℃
存储温度范围,T
英镑
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
−25°C
至85℃
铅温度的情况下,10秒(S包) 1.6毫米( 1/16英寸) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
回流焊,符合J -STD- 020C或J- STD- 020D ( SM包) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只,和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注1 :所有的电压是相对于GND 。
推荐工作条件
电源电压,V
DD
经营自由的空气温度,T
A
2.7
0
最大
5.5
70
单位
V
°C
在V电气特性
DD
= 5 V ,T
A
= 25
°
C,
λ
p
= 470纳米,R
L
= 10 k
Ω
(除非另有说明)
(见注2和3)
参数
V
D
V
OM
V
O
α
VD
黑暗的电压
最大输出电压摆幅
输出电压
暗电压的温度系数(V
D
)
E
e
= 0
V
DD
= 4.5 V,
V
DD
= 4.5 V,
T
A
= 0℃至70 ℃的
λ
p
= 428纳米,见注4和8
N
e
辐照响应
λ
p
= 470 nm处,见注5和8
λ
p
= 565纳米,见注6和8
λ
p
= 645纳米,见注7和8
PSRR
I
DD
电源抑制比
第ÿ Ĵ
电源电流
f
ac
= 100赫兹,见注9
f
ac
= 1 kHz时,见注9
E
e
= 1.54
μW /厘米
2
,
λ
p
= 470纳米,注5
空载
R
L
= 10 kΩ
4
1.6
测试条件
0
4.49
4.2
2
−15
1.18
1.30
1.58
1.68
55
35
1.9
3.5
dB
dB
mA
V / ( μW /厘米
V / (W /厘米
2
)
2.4
典型值
最大
15
单位
mV
V
V
μV/°C
E
e
= 1.54
μW /厘米
2
,
λ
p
= 470纳米,注5
注: 2.测量有R
L
=输出与地之间的10kΩ 。
3.光学测量使用小角度入射辐射从发光二极管(LED)光源进行。
4.输入辐射加到由氮化镓/碳化硅发光二极管具有以下特征:峰值波长
λ
p
= 428纳米,
光谱半宽
Δλ�½
= 65纳米。
5.输入辐射被供给通过的InGaN发光二极管具有以下特征:峰值波长
λ
p
= 470纳米,
光谱半宽
Δλ�½
= 35纳米。
6.输入辐射被供给通过具有以下特征在GaP发光二极管:峰值波长
λ
p
= 565纳米,
光谱半宽
Δλ�½
= 28纳米。
7.输入辐射加到由AlGaAs构成的发光二极管具有以下特征:峰值波长
λ
p
= 645纳米,
光谱半宽
Δλ�½
= 25纳米。
8.辐照度响应的特征在于在范围V
O
= 0.1 V至4.5 V的输出电压V的最佳拟合直线
O
辐照ê
e
超过这个范围通常都会有一个积极的外推V
O
值对于E
e
= 0.
9.电源抑制比PSRR被定义为20日志( ΔV
DD
( F) / ΔV
O
( F) )与V
DD
中(f = 0)= 5伏和V
O
中(f = 0)= 2V。
版权
E
2007年, TAOS公司
r
r
LUMENOLOGY
r
公司
2
www.taosinc.com