TSL2301
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1非线性光学传感器阵列
与模拟数字转换器
TAOS007 - 2000年7月
光学阵列特性（单芯片）在V
DD
= 5 V ，T
A
= 25°C,
λ
p
= 590纳米，T
INT
= 200
µs
（除非
另有说明）夷= ??????
参数
DSNU
PRNU
暗信号非均匀性
的非均匀性
光致响应非均匀性的
深层次的有效照度（测量的黑暗
电流）
测试条件
增益寄存器= 00000B ，
增益寄存器= 11111b ，
见注释3和4
T
A
= 70°C
见注2
见注2
±4%
待定
民
典型值
5
最大
10
14
±5%
毫微焦耳/平方厘米
2
最低位
单位
注释： 2. DSNU是最高值的像素和所述待测器件的最低值的像素之间的差时，所述阵列是不
照亮。
3. PRNU不包括DSNU 。
4. PRNU是最高值的像素和所述待测器件的最低值的像素之间的差时，该阵列是均匀
照明在标称白电平（典型值平均产出水平= 200 ） 。
开关特性在推荐的工作范围（除非另有说明）
参数
f
最大
t
W（ CLKH ）
t
W（ CLKL ）
t
su
t
h
t
r
t
r
t
d
C
i
最大时钟频率
时钟高脉冲持续时间
时钟低脉冲持续时间
输入建立时间
输入保持时间
上升时间，输出
下降时间，输出
从时钟边沿到数据输出稳定
输入引脚电容
C
L
= 20 pF的
测试条件
民
10
30
30
20
20
10
10
20
10
待定
典型值
最大
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
pF
在V光到数字传输特性
DD
= 5 V ，T
A
= 25°C,
λ
p
= 590纳米，T
INT
= 200
µs
（除非
另有说明）电子
e
=???????
参数
A至D转换器的分辨率
增益寄存器= 00000B
满量程
满量程参考
增益寄存器= 11111b
对于只转换器，不包括
光电二极管的特性
偏移寄存器= 00000000B
偏移寄存器= 00000000B
0
待定
170
待定
5
测试条件
民
典型值
8
6.3
2.1
±150
17
待定
200
待定
±64
增益寄存器= 00000B
可编程的偏移步长
随着温度的暗电平变化
微分非线性
积分非线性
增益寄存器= 00000B
黑电平噪声
电源抑制比
增益寄存器= 11111b
增益寄存器= 11111b
0° ℃下牛逼
A
＆ LT ; 70℃
0.5
1.5
2
±0.5
±1
0.5
1.5
待定
最低位
dB
最低位
最低位
最低位
最低位
30
待定
230
待定
最低位
最低位
7.6
最大
单位
位
毫微焦耳/平方厘米
2
PPM /°C的
全面的参考温度敏感性
增益寄存器= 00000B
黑暗平均水平
暗电平
平均白电平输出
可编程的偏移步骤
增益寄存器= 11111b
增益寄存器= 00000B
增益寄存器= 11111b
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t
版权
E
2000年， TAOS公司
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5
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