SLOS430E - 2004年8月 - 修订2008年3月
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耗散额定值表
包
RTJ
(TPA4411)
RTJ
(TPA4411M)
YZH
(1)
T
A
≤
25°C
额定功率
5200毫瓦
3450毫瓦
1200毫瓦
降额因子
(1)
41.6毫瓦/°C的
34.5毫瓦/ C
9.21毫瓦/°C的
T
A
= 70°C
额定功率
3120毫瓦
1898年毫瓦
690毫瓦
T
A
= 85°C
额定功率
2700毫瓦
1380毫瓦
600毫瓦
降额系数与高钾板进行测量。
可选项
T
A
-40 ° C至85°C
包装设备
(1)
20针， 4毫米
×
4毫米QFN
20针， 4毫米
×
4毫米QFN
16球， 2.18毫米
×
2.18毫米WSCP
(1)
(2)
产品型号
TPA4411RTJ
(2)
符号
AKQ
BPB
AKT
TPA4411MRTJ
(2)
TPA4411YZH
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录本文档的末尾，或见TI
网站：
在RTJ包仅提供卷带封装。如需订购，后缀“R”添加到零件编号末尾为3000的卷轴，或添加
后缀为“T”的零件编号的末尾250的卷轴（例如， TPA4411RTJR ） 。
推荐工作条件
民
电源电压AVDD ， PVDD
V
IH
V
IL
T
A
(1)
高电平输入电压
低电平输入电压
SDL ， SDR
SDL ， SDR
–40
1.8
1.5
0.5
85
最大
4.5
(1)
单位
V
V
V
°C
工作自由空气的温度
设备可以关闭电压（VDD） > 4.5伏，以避免损坏设备。
电气特性
T
A
= 25 ℃（除非另有说明）
参数
| VOS |
PSRR
V
OH
V
OL
|I
IH
|
|I
IL
|
输出失调电压
电源抑制比
高电平输出电压
低电平输出电压
高电平输入电流（ SDL ， SDR ）
低电平输入电流（ SDL ， SDR ）
测试条件
V
DD
= 1.8 V至4.5 V ，输入接地
V
DD
= 1.8 V至4.5 V
V
DD
= 3 V ，R
L
= 16
Ω
V
DD
= 3 V ，R
L
= 16
Ω
V
DD
= 4.5 V, V
I
= V
DD
V
DD
= 4.5 V, V
I
= 0 V
V
DD
= 1.8 V ，无负载， SDL = SDR = V
DD
I
DD
电源电流
V
DD
= 3 V ，无负载， SDL = SDR = V
DD
V
DD
= 4.5 V ，无负载， SDL = SDR = V
DD
关断模式下，V
DD
= 1.8 V至4.5 V
5.3
6.5
8.0
–69
2.2
–1.1
1
1
6.5
8.0
10.0
1
µA
mA
–80
民
典型值
最大
8
单位
mV
dB
V
V
µA
µA
4
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产品文件夹链接（ S） ：
TAOS [ TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS ]
