SNLS420B - 2012年7月 - 修订2013年4月
推荐工作条件
民
电源电压（V
DDN
)
LVCMOS电源电压（V
DDIO
)
OR
LVCMOS电源电压（V
DDIO
)
OR
LVCMOS电源电压（V
DDIO
）仅
串行器
电源噪声
(1)
V
DDN
(1.8V)
V
DDIO
(1.8V)
V
DDIO
(3.3V)
经营自由的空气
温度（T
A
)
-40
10
+25
PCLK时钟频率
(1)
1.71
1.71
3.0
2.52
喃
1.8
1.8
3.3
2.8
最大
1.89
1.89
3.6
3.08
25
25
50
+105
100
单位
V
V
V
V
MVP -P
MVP -P
MVP -P
°C
兆赫
电源噪声测试是用最小的电容进行（如在
在PCB上。正弦信号是交流
耦合到VDDn （ 1.8V）电源用在设备VDDn引脚测量振幅= 25的MVP -P 。输入的比特误码率测试的
Ser和所述辅用10米长的电缆的输出表示没有误差时的丝氨酸的噪声频率小于1兆赫。在德上
另一方面显示没有错误时的噪声频率小于750千赫。
电气特性
(1) (2) (3)
在推荐，除非另有规定工作电源和温度范围内。
符号
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
V
OL
I
OS
参数
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入电流
高电平输出
电压
低电平输出
电压
输出短路
当前
条件
V
IN
= 3.0V至3.6V
V
IN
= 3.0V至3.6V
V
IN
= 0V或3.6V
V
IN
= 3.0V至3.6V
V
DDIO
= 3.0V至3.6V
I
OH
=
−4
mA
V
DDIO
= 3.0V至3.6V
I
OL
= 4毫安
V
OUT
= 0V
串行器
GPO输出
解串器
LVCMOS输出
I
OZ
TRI- STATE®输出
当前
输入高电平
电压
低电平输入
电压
输入电流
高电平输出
电压
PDB = 0V ，
V
OUT
= 0V或V
DD
V
IN
= 1.71V到1.89V
V
IN
= 1.71V到1.89V
V
IN
= 0V或1.89V
V
IN
= 1.71V到1.89V
V
DDIO
= 1.71V到1.89V
I
OH
=
−4
mA
LVCMOS输出
-20
民
典型值
最大
单位
LVCMOS DC规格3.3VI / O （ SER投入， DES产出， GPI ， GPO ，控制输入和输出）
2.0
GND
-20
2.4
GND
-15
mA
-35
+20
µA
±1
V
IN
0.8
+20
V
DDIO
0.4
V
V
µA
V
V
LVCMOS DC规格1.8VI / O（ SER投入， DES产出， GPI ， GPO ，控制输入和输出）
V
IH
V
IL
I
IN
V
OH
0.65 V
IN
GND
-20
V
DDIO
-
0.45
±1
V
IN
V
0.35 V
IN
+20
V
DDIO
µA
V
(1)
(2)
(3)
8
电气特性表列出保证下，上市推荐工作条件规格除外
否则，修改或由电气特性条件和/或Notes规定。典型规格估计只
没有保证。
电流进入器件引脚被定义为正。电流输出器件管脚的定义为负。电压参考地
除了视频点播，
ΔVOD ，
VTH和VTL这是差分电压。
典型值代表最可能的参数规范为1.8V或3.3V ，T
A
= + 25 ° C，并在推荐工作条件
没有指定的产品特征的时间和。
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