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    CD74HC670MT 参数 Datasheet PDF下载

    CD74HC670MT图片预览
    型号： CD74HC670MT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 高速CMOS逻辑4×4寄存器文件 [High-Speed CMOS Logic 4x4 Register File]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 17 页 / 568 K
    品牌： TAOS [ TEXAS ADVANCED OPTOELECTRONIC SOLUTIONS ]
     浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CD74HC670MT的Datasheet PDF文件第9页  
    CD54HC670 ， CD74HC670 ， CD74HCT670
    直流电特定网络阳离子
    （续）
    TEST
    条件
    参数
    静态器件
    当前
    三态泄漏
    当前
    HCT类型
    输入高电平
    电压
    低电平输入
    电压
    高电平输出
    电压
    CMOS负载
    高电平输出
    电压
    TTL负载
    低电平输出
    电压
    CMOS负载
    低电平输出
    电压
    TTL负载
    输入漏
    当前
    静态器件
    当前
    三态泄漏
    当前
    其他静态
    器件电流每
    输入端子： 1机组负荷
    注意：
    4.对于双电源系统的理论最坏的情况下（V
    I
    = 2.4V, V
    CC
    = 5.5V ）规格1.8毫安。
    ∆I
    CC
    （注4 ）
    I
    I
    I
    CC
    V
    CC
    和
    GND
    V
    CC
    or
    GND
    V
    IL
    或V
    IH
    V
    OL
    V
    IH
    或V
    IL
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    -
    -
    V
    IH
    或V
    IL
    -
    -
    -0.02
    4.5〜
    5.5
    4.5〜
    5.5
    4.5
    2
    -
    4.4
    -
    -
    -
    -
    0.8
    -
    2
    -
    4.4
    -
    0.8
    -
    2
    -
    4.4
    -
    0.8
    -
    V
    V
    V
    符号
    I
    CC
    V
    I
    (V)
    V
    CC
    or
    GND
    V
    IL
    或V
    IH
    I
    O
    （MA ）
    0
    V
    O
    =
    V
    CC
    or
    GND
    25
    o
    C
    民
    -
    -
    典型值
    -
    -
    最大
    8
    ±0.5
    -40
    o
    C至85
    o
    C -55
    o
    C至125
    o
    C
    民
    -
    -
    最大
    80
    ±5.0
    民
    -
    -
    最大
    160
    ±10
    单位
    µA
    µA
    V
    CC
    (V)
    6
    6
    -6
    4.5
    3.98
    -
    -
    3.84
    -
    3.7
    -
    V
    0.02
    4.5
    -
    -
    0.1
    -
    0.1
    -
    0.1
    V
    6
    4.5
    -
    -
    0.26
    -
    0.33
    -
    0.4
    V
    0
    0
    V
    O
    =
    V
    CC
    or
    GND
    -
    5.5
    5.5
    5.5
    -
    -
    -
    -
    -
    ±0.1
    8
    ±0.5
    -
    -
    -
    ±1
    80
    ±5.0
    -
    -
    -
    ±1
    160
    ±10
    µA
    µA
    µA
    V
    CC
    -2.1
    4.5〜
    5.5
    -
    100
    360
    -
    450
    -
    490
    µA
    HCT输入负载表
    输入
    WE
    WA0
    WA1
    RE
    数据
    RA0
    RA1
    单位负载
    0.3
    0.2
    0.4
    1.5
    0.15
    0.4
    0.7
    注：机组负荷为
    ∆I
    CC
    在直流电气连接特定的阳离子限制特定网络ç
    表，例如， 360μA最大值。在25
    o
    C.
    4

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