德昌
®
SEM ICON杜CTO ř
典型特征
图1.正向电流降额曲线（每二极管）
20
1000.0
F = 1MHz的
图2.结电容（每二极管）
平均FORW ARD电流[ A]
16
典型结电容
[ pF的]
TA = 25
℃
MBR20100CT
MBR20150CT
12
100.0
8
MBR20200CT
4
0
0
25
50
75
100
125
150
10.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
TC - 外壳温度[
℃
]
反向电压[ V]的
图3. MBR20100CT典型的反向电流（每二极管）
10000.000
TA = 150
℃
Ta=125
℃
100.000
图4. MBR20150CTTypical反向电流（每二极管）
10000.000
IR - 反向电流[UA ] ）
IR - 反向电流[UA ] ）
1000.000
1000.000
TA = 150
℃
100.000
10.000
1.000
0.100
0.010
0.001
Ta=25℃
Ta=75
℃
Ta=125
℃
10.000
Ta=75
℃
1.000
Ta=25
℃
0.100
0.010
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
15
30
45
60
75
90
105
120
135
150
VR - 反向电压[V]
VR - 反向电压[V]
图5. MBR20200CT典型的反向电流（每二极管）
10000.000
图6. MBR20100CT典型正向电压（每二极管）
100
IR - 反向电流[UA ] ）
1000.000
TA = 150
℃
100.000
10.000
1.000
0.100
0.010
0.001
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
Ta=25
℃
Ta=75
℃
Ta=125
℃
IF - 正向电流[mA ]
10
1
Ta=150
℃
Ta=125
℃
0.1
Ta=75
℃
Ta=25
℃
0.01
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
VR - 反向电压[V]
音频 - Instantaneours正向电压[V]的
编号： DB- 028
2010年3月发布，版本F
第2页
TAK_CHEONG [ Tak Cheong Electronics (Holdings) Co.,Ltd ]
